Sitemap

Porózus szilícium-karbid (sIC) kerámia tányérok: nagyteljesítményű anyagok félvezető gyártásban | Mi az a kvarc hajó? | Mi az a PECVD grafit hajó? | Hogyan válasszuk ki a MOCVD grafit tálcát? | Milyen különbségek vannak az izotrop grafit és a szilikonizált grafit között? | Mi az a szilícium -karbid kerámia? | Hogyan fokozza a porózus grafit a szilícium-karbid kristálynövekedést? | CVD technológiai innováció a Nobel -díj mögött | Mi az a SIC-bevonatú grafit-susceptor? | Mi az a nagy tisztaságú porózus grafit? | A világon a 3 legnépszerűbb kvarc anyagszállító | Mi az a szilícium -karbid kristálynövekedés? | Mi az epitaxiális folyamat? | Hogyan lehet elérni a kiváló minőségű kristálynövekedést? - SIC kristály növekedési kemence | A világ négy legerősebb grafitgyártója - Vetek | Hogyan javítja a SIC bevonat a szén oxidációs rezisztenciáját? | Három SIC egykristályos növekedési technológia | A szilícium -karbid kerámia alkalmazása és kutatása a fotovoltaika területén - Vetek félvezető | Milyen kihívásokkal néz szembe a CVD TaC bevonási eljárás a szilícium-karbid egykristály növekedésére a félvezető feldolgozás során? | Miért jobb a tantál-karbid (TaC) bevonat, mint a szilícium-karbid (SiC) bevonat a SiC egykristály növekedésében? - VeTek félvezető | Milyen mérőberendezések vannak a Fab gyárban? - Vetek félvezető | Hogyan javítja a TaC bevonat a grafit alkatrészek élettartamát? - VeTek félvezető | Mi a TAC bevonatú alkatrészek speciális alkalmazása a félvezető mezőben? | Miért nem sikerül a SIC bevonatú grafit -susceptor? - Vetek félvezető | Milyen különbségek vannak az MBE és a MOCVD technológiák között? | Porózus tantalum karbid: Anyagok új generációja a SIC kristálynövekedéshez | Mi az EPI epitaxiális kemence? - VeTek félvezető | Félvezető folyamat: Kémiai gőzlerakódás (CVD) | Hogyan lehet megoldani a szilícium -karbid kerámia repedéseinek problémáját? - Vetek félvezető | Mi a lépésvezérelt epitaxiális növekedés? | A maratási folyamat problémái | Mi az a forró sajtolt SIC kerámia? | Szén alapú termikus téranyagok alkalmazása szilícium-karbid kristálynövekedésben | Miért kap ennyi figyelmet a SiC bevonat? - VeTek félvezető | Miért emelkedik ki a 3C-SIC sok SIC polimorf között? - Vetek félvezető | Diamond - a félvezetők jövőbeli csillaga | Mi a különbség a szilícium -karbid (sIC) és a gallium -nitrid (GAN) alkalmazások között? - Vetek félvezető | A fizikai gőzlerakódás bevonatának alapelvei és technológiája (1/2) - Vetek félvezető | A fizikai gőzlerakódás (PVD) bevonat alapelvei és technológiája (2/2) - Vetek félvezető | Mi a porózus grafit? - Vetek félvezető | Mi a különbség a szilícium -karbid és a tantalum karbid bevonatok között? | A chip gyártási folyamatának teljes magyarázata (1/2): A ostyától a csomagolásig és a tesztelésig | A chip gyártási folyamatának teljes magyarázata (2/2): A ostyától a csomagolásig és a tesztelésig | Mekkora az egyetlen kristálykemence hőterejének hőmérsékleti gradiense? | Mennyit tudsz a zafírról? | Mennyire vékony lehet a Taiko -folyamat szilícium ostyákat készíteni? | 8 hüvelykes SIC epitaxiális kemence és homoepitaxiális folyamatkutatás | Félvezető szubsztrát lapka: Szilícium, GaAs, SiC és GaN anyagtulajdonságai | GaN-alapú, alacsony hőmérsékletű epitaxis technológia | Mi a különbség a CVD TAC és a szinterelt TAC között? | Hogyan készítsük el a CVD TAC bevonatot? - Vetekchemon | Mi az a tantalum karbid tac bevonat? - Vetekchemon | Miért van a SIC bevonása a SIC epitaxiális növekedés kulcsfontosságú anyagának? | Szilícium -karbid nanomatermékek | Mennyit tudsz a CVD SIC -ről? - Vetek félvezető | Mi a TAC bevonat? - Vetek félvezető | Tudsz a MOCVD Susceptorról? | A szilícium-karbid felhasználása | A szilícium epitaxia jellemzői | Szilícium -karbid -epitaxia anyag | A SiC epitaxiális növesztő kemence különböző műszaki útjai | TAC-bevonatú grafit alkatrészek alkalmazása egykristályos kemencékben | A Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: A 8 hüvelykes SIC chipeket várhatóan decemberben gyártják! | A kínai cégek állítólag 5nm-es chipeket fejlesztenek a Broadcommal! | 8 hüvelykes szilícium-karbid egy kristálynövekedési kemence technológiája alapján | Szilícium (SI) epitaxia előkészítő technológia | 3D nyomtatási technológia feltáró alkalmazása a félvezető iparban | Tantalum karbid technológia áttörés, a SIC epitaxiális szennyezés 75%-kal csökkent? | ALD atomi réteges leválasztás receptje | A 3C SIC fejlesztési története | Chipgyártás: A MOSFET folyamatfolyamata | Termálmező kialakítása a SIC egykristálynövekedéshez | Olaszország LPE 200 mm -es SIC epitaxiális technológiájának előrehaladása | Megérkezik! Két fő gyártó várhatóan 8 hüvelykes szilícium-karbidot fog előállítani | Mi az a CVD TAC bevonat? - Veteksemi | Mi a különbség az epitaxia és az ALD között? | Mi az a félvezető epitaxiás folyamat? | Chipgyártás: atomréteg -lerakódás (ALD)