QR-kód
Termékek
Lépjen kapcsolatba velünk


Fax
+86-579-87223657

Email

Cím
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang tartomány, Kína
A VeTek semiconductor a tantál-karbid bevonóanyagok vezető gyártója a félvezetőipar számára. Fő termékkínálatunkban megtalálhatók a CVD-tantál-karbid bevonat alkatrészek, a szinterezett TaC bevonat alkatrészek SiC kristálynövekedéshez vagy félvezető epitaxiás folyamathoz. Az ISO9001 tanúsítvánnyal rendelkező VeTek Semiconductor jól szabályozza a minőséget. A VeTek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy újítóvá váljon a tantál-karbid bevonat iparban az iteratív technológiák folyamatos kutatása és fejlesztése révén.
A fő termékek a TaC bevonatú vezetőgyűrű, CVD TaC bevonatú háromszirmú vezetőgyűrű, tantál-karbid, TaC bevonatú félhold, CVD TaC bevonatú planetáris SiC epitaxiális szuszceptor, tantál-karbid bevonatgyűrű, tantál-karbid bevonatú porózus grafit, TaC bevonatú TaC-lemezes bevonat, TaC-bevonat, Rotát, TaC bevont ostya szuszceptor, TaC bevonatú terelőgyűrű, CVD TaC bevonat fedél, TaC bevonatú tokmány stb., a tisztaság 5 ppm alatt van, megfelel az ügyfelek igényeinek.
A TaC bevonatú grafitot egy nagy tisztaságú grafit szubsztrátum felületének finom tantál-karbid réteggel való bevonásával állítják elő szabadalmaztatott vegyi gőzleválasztásos (CVD) eljárással. Az előny az alábbi képen látható:
A tantál-karbid (TaC) bevonat magas, akár 3880°C-ig terjedő olvadáspontja, kiváló mechanikai szilárdsága, keménysége és hősokkállósága miatt is felkeltette a figyelmet, így vonzó alternatívája a magasabb hőmérsékleti igényű összetett félvezető epitaxiás eljárásoknak, mint például az Aixtron MOCVD rendszernek és az LPE SiC epitaxiás eljárásnak. A PVT-ben széles körű SiC-növekedési eljárással is rendelkezik.
● Hőmérséklet-stabilitás 2500°C-ig kiváló hősokkállósággal.
● Rendkívül nagy tisztaságú (<5 ppm) és erős tapadás a grafithoz a minimális részecskeképződés érdekében.
● Kiváló ellenállás a H₂-, NH₃-, SiH₄- és Si-gőzökkel szemben kemény folyamatkörnyezetben.
● Konform bevonat, akár 750 mm átmérőig, egyedülállóan Kínában kapható.
A VeTek félvezető tantál-karbid bevonat paraméterei:
| A TaC bevonat fizikai tulajdonságai | |
| Sűrűség | 14,3 g/cm³ |
| Keménység | 2000 HK |
| Hőtágulás | 6,3×10⁻⁶/K |
| Ellenállás | 1×10⁻⁵ Ohm·cm |
| Hőstabilitás | <2500°C |
| Bevonat vastagsága | ≥20μm (tipikus 35±10μm) |
karbid (TaC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten:
TaC bevonat EDX adatok:
A TaC bevonat kristályszerkezeti adatai:
| Elem | Atom százalék | |||
| Pt. 1 | Pt. 2 | Pt. 3 | Átlagos | |
| C K | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
| Ta M | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
TaC bevonatú tokmány
TaC Coating Planetary Disk
TaC bevonatú lemez
TaC bevonat forgólap
TaC bevonat szuszceptor
CVD TaC bevonat Fedél
CVD TaC bevonógyűrű
TaC bevonólemez
A félvezető eljárások sokrétű igényeinek kielégítésére a VeTek célzott tantál-karbid bevonat termékeket kínál. Az alábbi táblázat a fő alkalmazási területek szerint osztályozza őket, felsorolva a tipikus összetevőket és az alkalmazható folyamatokat:
| Alkalmazási mező | Tipikus termékek | Alkalmazás leírása |
| SiC epitaxia | CVD TaC bevonatú planetáris szuszceptor,TaC bevonatú ostya szuszceptor,TaC bevonatú vezetőgyűrű | Alkalmas magas hőmérsékletű SiC epitaxiális folyamatokhoz (pl. LPE módszer), nagy termikus stabilitást és alacsony szennyeződésű interfészt biztosít a film egyenletességének biztosítása érdekében. |
| GaN / LED epitaxia (MOCVD) | Zuhanyfej, szatellit lemez, maszkoló gyűrű, hőpajzs, befecskendező fúvóka | Alkalmas Aixtron MOCVD rendszerekhez, ellenáll a H₂/NH3 korróziónak, csökkenti a részecskeszennyeződést és javítja a LED epitaxiális hozamát. |
| SiC kristálynövekedés (PVT módszer) | TaC bevonatú porózus grafit,TaC bevonatú félhold,vezetőgyűrű,borító,tokmány | PVT SiC rúdnövekedéshez használják, 2500°C-ig ellenáll, megakadályozza a grafitreakciókat és biztosítja a kristálytisztaságot. |
| Magas hőmérsékletű fűtő- és tartóelemek | Induktív fűtési szuszceptor,rezisztív fűtőelem, ostyahordozó | Alkalmas indukciós vagy rezisztív fűtési rendszerekhez, nagy keménységgel és hősokkállósággal rendelkezik, 3-5-szörösére meghosszabbítva az alkatrészek élettartamát. |
Részletesebb folyamatillesztési megoldásokért tekintse meg aSzilícium-karbid epitaxiakapcsolódó pályázati oldal.
Támogatjuk a vevői igények alapján személyre szabott szolgáltatásokat. Megfelel az ISO9001 jó minőségellenőrzéssel.
Üdvözöljük, forduljon hozzánk további konzultációért, vagy hagyjon üzenetet