Wafer szubsztrátumfélvezető egykristály anyagból készült ostya. A hordozó közvetlenül beléphet a lapkagyártási folyamatba, hogy félvezető eszközöket állítson elő, vagy epitaxiális eljárással feldolgozható epitaxiális lapkák előállítására.
A Wafer Substrate, mint a félvezető eszközök alapvető tartószerkezete, közvetlenül befolyásolja az eszközök teljesítményét és stabilitását. A félvezető eszközök gyártásának "alapjaként" számos gyártási folyamatot kell végrehajtani, például vékonyréteg-növelést és litográfiát a hordozón.
Az aljzattípusok összefoglalása:
●Egykristályos szilícium ostya: jelenleg a legelterjedtebb hordozóanyag, széles körben használják integrált áramkörök (IC-k), mikroprocesszorok, memóriák, MEMS-eszközök, tápegységek stb. gyártásában;
●SOI szubsztrát: nagy teljesítményű, kis teljesítményű integrált áramkörökhöz, például nagyfrekvenciás analóg és digitális áramkörökhöz, RF eszközökhöz és energiagazdálkodási chipekhez használják;
●Összetett félvezető hordozók: Gallium-arzenid szubsztrát (GaAs): mikrohullámú és milliméter hullámú kommunikációs eszközök, stb. Gallium-nitrid hordozó (GaN): RF teljesítményerősítőkhöz, HEMT-hez stb.Szilícium-karbid hordozó (SiC): elektromos járművekhez, áramátalakítókhoz és egyéb erőátviteli eszközökhöz használják Indium-foszfid szubsztrát (InP): lézerekhez, fotodetektorokhoz stb. használják;
●Zafír szubsztrátum: LED gyártáshoz, RFIC (rádiófrekvenciás integrált áramkör) stb.
A Vetek Semiconductor egy professzionális SiC szubsztrát és SOI szubsztrát szállító Kínában. A miénk4H félszigetelő típusú SiC hordozóés4H félig szigetelő SiC szubsztrátszéles körben használják a félvezető gyártó berendezések kulcsfontosságú alkatrészeiben.
A Vetek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy fejlett és testreszabható Wafer Substrate termékeket és különféle specifikációjú műszaki megoldásokat biztosítson a félvezetőipar számára. Őszintén várjuk, hogy az Ön beszállítója lehessünk Kínában.
