Ostya

Wafer szubsztrátumfélvezető egykristály anyagból készült ostya. A hordozó közvetlenül beléphet a lapkagyártási folyamatba, hogy félvezető eszközöket állítson elő, vagy epitaxiális eljárással feldolgozható epitaxiális lapkák előállítására.

A Wafer Substrate, mint a félvezető eszközök alapvető tartószerkezete, közvetlenül befolyásolja az eszközök teljesítményét és stabilitását. A félvezető eszközök gyártásának "alapjaként" számos gyártási folyamatot kell végrehajtani, például vékonyréteg-növelést és litográfiát a hordozón.

Az aljzattípusok összefoglalása:

 ●Egykristályos szilícium ostya: jelenleg a legelterjedtebb hordozóanyag, széles körben használják integrált áramkörök (IC-k), mikroprocesszorok, memóriák, MEMS-eszközök, tápegységek stb. gyártásában;

 ●SOI szubsztrát: nagy teljesítményű, kis teljesítményű integrált áramkörökhöz, például nagyfrekvenciás analóg és digitális áramkörökhöz, RF eszközökhöz és energiagazdálkodási chipekhez használják;

 ●Összetett félvezető hordozók: Gallium-arzenid szubsztrát (GaAs): mikrohullámú és milliméter hullámú kommunikációs eszközök, stb. Gallium-nitrid hordozó (GaN): RF teljesítményerősítőkhöz, HEMT-hez stb.Szilícium-karbid hordozó (SiC): elektromos járművekhez, áramátalakítókhoz és egyéb erőátviteli eszközökhöz használják Indium-foszfid szubsztrát (InP): lézerekhez, fotodetektorokhoz stb. használják;

 ●Zafír szubsztrátum: LED gyártáshoz, RFIC (rádiófrekvenciás integrált áramkör) stb.

A Vetek Semiconductor egy professzionális SiC szubsztrát és SOI szubsztrát szállító Kínában. A miénk4H félszigetelő típusú SiC hordozóés4H félszigetelő típusú SiC szubsztrátszéles körben használják a félvezető gyártó berendezések kulcsfontosságú alkatrészeiben. 

A Vetek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy fejlett és testreszabható Wafer Substrate termékeket és különféle specifikációjú műszaki megoldásokat biztosítson a félvezetőipar számára. Őszintén várjuk, hogy az Ön beszállítója lehessünk Kínában.