Termékek

Ostya

A Wafer Substrate egy félvezető egykristály anyagból készült ostya. A hordozó közvetlenül beléphet a lapkagyártási folyamatba, hogy félvezető eszközöket állítson elő, vagy epitaxiális eljárással feldolgozható epitaxiális lapkák előállítására.

A Wafer Substrate, mint a félvezető eszközök alapvető tartószerkezete, közvetlenül befolyásolja az eszközök teljesítményét és stabilitását. A félvezető eszközök gyártásának "alapjaként" számos gyártási folyamatot kell végrehajtani, például vékonyréteg-növelést és litográfiát a hordozón.

Az aljzattípusok összefoglalása

  • Egykristályos szilícium lapka: jelenleg a legelterjedtebb hordozóanyag, széles körben használják integrált áramkörök (IC-k), mikroprocesszorok, memóriák, MEMS-eszközök, tápegységek stb. gyártásában;
  • SOI szubsztrát: nagy teljesítményű, kis teljesítményű integrált áramkörökhöz, például nagyfrekvenciás analóg és digitális áramkörökhöz, RF eszközökhöz és energiagazdálkodási chipekhez használják;
  • Silicon On Insulator Wafer Product Display

  • Összetett félvezető hordozók: Gallium-arzenid szubsztrátum (GaAs): mikrohullámú és milliméteres hullámú kommunikációs eszközök stb. Gallium-nitrid szubsztrát (GaN): RF teljesítményerősítőkhöz, HEMT stb. használják. Szilícium-karbid szubsztrát (SiC): elektromos járművekhez, teljesítményátalakítókhoz és egyéb erőátviteli eszközökhöz használatos: Indium lézer phoss, phosid szubsztrát stb.;
  • Zafír hordozó: LED-gyártáshoz, RFIC (rádiófrekvenciás integrált áramkör) stb.


A Vetek Semiconductor egy professzionális SiC szubsztrát és SOI szubsztrát szállító Kínában. A 4H félig szigetelő SiC hordozónkat és a 4H félszigetelő típusú SiC szubsztrátumunkat széles körben használják a félvezető gyártó berendezések kulcsfontosságú alkatrészeiben.

A Vetek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy fejlett és testreszabható Wafer Substrate termékeket és különféle specifikációjú műszaki megoldásokat biztosítson a félvezetőipar számára. Őszintén várjuk , hogy az Ön beszállítója lehessünk Kínában .


Főbb jellemzők

  • SiC hordozók (4H N-típusú és félszigetelő) és SOI hordozók professzionális szállítója teljesítmény-, rádiófrekvenciás és fejlett IC alkalmazásokhoz.
  • Széles hordozóportfólió, amely magában foglalja a szilíciumot, az összetett félvezetőket (SiC, GaN, GaAs, InP), a zafírt és a speciális ostyákat (PZT, SiN, dummy wafers).
  • Kiváló anyagminőség és folyamatkonzisztencia, amely alkalmas epitaxiális növekedésre, készülékgyártásra és berendezés folyamatvezérlésére.
  • Testreszabható specifikációk és műszaki megoldások a különböző félvezetőgyártási követelményekhez szabva.
  • Megbízható kínai bázisú ellátás az energiaellátó eszközök, MEMS, LED, RF és termikus technológiai eszközök alkalmazásmérnöki támogatásával.


Termékkategóriák

  • SiC szubsztrátok: 4H N-típusú és félszigetelő SiC lapkák erősáramú eszközökhöz és rádiófrekvenciás alkalmazásokhoz
  • SOI szubsztrátok: Szilícium-szigetelő lapkák nagy teljesítményű, kis teljesítményű IC-khez és RF eszközökhöz
  • Speciális / technológiai lapkák: CVD SiC bevonatú állapkák, SiN szubsztrátok, PZT piezoelektromos lapkák Si/SOI-n
  • Egyéb összetett / zafír szubsztrátok: LED, RF és optoelektronikai alkalmazások támogatása (az áttekintésben hivatkozott)


Alkalmazások

A félvezetőgyártás sokrétű igényeinek kielégítésére a VeTek célzott Wafer Substrate termékeket kínál. Az alábbi táblázat a főbb alkalmazási területek szerint osztályozza őket:

Alkalmazási mező Tipikus termékek Alkalmazás leírása
Energiaellátó eszközök és elektromos járművek 4H-SiC hordozók (N-típusú / félig szigetelő) Szilícium-karbid szubsztrátumok teljesítmény-átalakítókhoz, elektromos járművekhez és nagyfeszültségű tápegységekhez, amelyek magas hőmérsékletet és nagy hatékonyságot igényelnek.
RF / nagyfrekvenciás IC-k SOI szubsztrátok, GaN / GaAs rokon hordozók, félig szigetelő SiC Nagy teljesítményű, kis teljesítményű hordozók RF eszközökhöz, teljesítményerősítőkhöz, HEMT-ekhez és nagyfrekvenciás analóg/digitális áramkörökhöz.
MEMS és érzékelők PZT piezoelektromos ostyák (PZT Si/SOI-on), SiN hordozók Piezoelektromos és nagy szilárdságú hordozók MEMS jelátalakítókhoz, érzékelőkhöz, 5G-hez, orvosi és viselhető eszközökhöz, amelyek elektromechanikus átalakítást igényelnek.
Folyamatszabályozás és tesztelés CVD SiC bevonat Dummy ostya Dummy és tesztlapok berendezések minősítéséhez, folyamatfelügyelethez és szennyeződés-ellenőrzéshez a félvezető gyártósorokon.
LED / Optoelektronika Zafír hordozók, összetett félvezető hordozók (InP stb.) Aljzatok LED-gyártáshoz, lézerekhez, fotodetektorokhoz és RFIC alkalmazásokhoz, amelyek optikai és nagyfrekvenciás teljesítményt igényelnek.
Fejlett IC / Logika és memória Egykristályos szilícium lapkák, SOI szubsztrátok Általános és fejlett hordozók integrált áramkörök, mikroprocesszorok, memóriák és energiagazdálkodási chipek számára.

Részletesebb folyamategyeztetési megoldásokért tekintse meg aSzilícium-karbid epitaxiaésSzilícium epitaxiakapcsolódó oldalak.


Mint professzionális ostyagyártó és -szállító Kínában, saját gyárunk van. Akár testreszabott szolgáltatásokra van szüksége régiója speciális igényeinek kielégítésére, akár fejlett és tartós Kínában gyártott ostyát szeretne vásárolni,hagyj nekünk üzenetet.

View as  
 
Alumínium-nitrid (AlN) lapkák

Alumínium-nitrid (AlN) lapkák

A VeTek Semiconductor kiváló minőségű alumínium-nitrid (AlN) egykristály lapkákat és szubsztrátumokat szállít a következő generációs ultra-széles sávú félvezető eszközökhöz. Az ultraszéles, körülbelül 6,2 eV-os sávszélességgel, a kiemelkedő hővezető képességgel, a kivételes elektromos szigeteléssel, valamint a kiváló rács- és hőtágulási illeszkedéssel a GaN-nel az AlN lapkák ideálisak nagy teljesítményű RF-eszközökhöz, nagyfeszültségű teljesítményelektronikához és mély-ultraibolya (DUV) optoelektronikához.
PZT piezoelektromos ostyák (PZT Si/SOI-n)

PZT piezoelektromos ostyák (PZT Si/SOI-n)

Ahogy az 5G-kommunikáció, a precíziós orvosi eszközök és az intelligens viselhető eszközök bővülésével növekszik a nagy érzékenységű és kis teljesítményű MEMS-átalakítók iránti kereslet, a PZT on Si/SOI lapkáink kritikus anyagmegoldást kínálnak. A fejlett vékonyréteg-leválasztási eljárások, például a szol-gél vagy a porlasztás segítségével kivételes konzisztenciát és kiváló piezoelektromos teljesítményt érünk el szilícium hordozókon. Ezek az ostyák az elektromechanikus energiaátalakítás alapvető magjaként szolgálnak.
CVD SIC bevonó dummy ostya

CVD SIC bevonó dummy ostya

Mint vezető kínai SIC ostya -gyártók és beszállítók, a Vetek Semiconductor CVD SIC Coating Dummy ostya egy speciális eszköz a félvezető gyártásában, amelyet elsősorban a szilícium ostya tesztelése és az ostya tesztelése céljából használnak. További kérdéseit szívesen látjuk.
SiN szubsztrát

SiN szubsztrát

A Vetek Semiconductor a Kínában a SIN szubsztrát termékek vezető gyártója és szállítója. Szilícium-nitrid-szubsztrátunk kiváló hővezetőképességgel, kiváló kémiai stabilitással és korrózióállósággal, valamint kiváló szilárdsággal rendelkezik, így nagy teljesítményű anyag lesz a félvezető alkalmazásokhoz. A Veteksemi Sin Substrate biztosítja, hogy előnyös legyen az élvonalbeli technológia a félvezető feldolgozás, a szigorú minőség-ellenőrzés területén, és üdvözli további konzultációját.
Professzionális Ostya gyártóként és beszállítóként Kínában saját gyárunk van. Ha személyre szabott szolgáltatásokra van szüksége régiója speciális igényeihez, vagy fejlett és tartós Kínában gyártott Ostya terméket szeretne vásárolni, írjon nekünk.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás