Porózus grafit

A szilícium-karbid szubsztrátumgyártók általában porózus grafithengerrel ellátott tégelyt használnak a forrómezős eljáráshoz. Ez a kialakítás növeli a párolgási területet és a töltési térfogatot. Új eljárást fejlesztettek ki a kristályhibák kezelésére, a tömegátadás stabilizálására és a SiC kristályminőség javítására. Mag nélküli kristálytálcás rögzítési módszert tartalmaz a hőtágulás és a feszültség enyhítése érdekében. A tégelyes grafit és a porózus grafit korlátozott piaci kínálata azonban kihívást jelent a SiC egykristályok minősége és hozama szempontjából.

A VeTek félvezető porózus grafit főbb jellemzői:

1. Magas hőmérsékletű környezeti tolerancia - A termék ellenáll a 2500 Celsius fokos környezetnek, kiváló hőállóságot bizonyítva.

2. Szigorú porozitás-szabályozás – A VeTek Semiconductor szigorú porozitás-szabályozást biztosít, biztosítva az egyenletes teljesítményt.

3. Ultra-nagy tisztaság – A felhasznált porózus grafitanyag szigorú tisztítási eljárások révén magas tisztasági szintet ér el.

4.Kiváló felületi részecskemegkötő képesség - A VeTek Semiconductor kiváló felületi részecskemegkötő képességgel és por tapadással szembeni ellenállással rendelkezik.

5. Gázszállítás, diffúzió és egyenletesség – A grafit porózus szerkezete elősegíti a hatékony gázszállítást és diffúziót, ami javítja a gázok és részecskék egyenletességét.

6. Minőségellenőrzés és stabilitás - A VeTek Semiconductor a magas tisztaságra, az alacsony szennyeződéstartalomra és a kémiai stabilitásra helyezi a hangsúlyt a kristálynövekedés minőségének biztosítása érdekében.

7. Hőmérsékletszabályozás és egyenletesség - A porózus grafit hővezető képessége egyenletes hőmérsékleteloszlást tesz lehetővé, csökkenti a növekedés során jelentkező feszültségeket és hibákat.

8. Fokozott oldott anyag diffúzió és növekedési sebesség - A porózus szerkezet elősegíti az oldott anyag egyenletes eloszlását, fokozva a kristályok növekedési sebességét és egyenletességét.