Mintatérképezés

A megrendelő által biztosított fizikai minta alapján (akkor is, ha elhasználódott vagy törött alkatrészről van szó) teljes körű szolgáltatást kínálunk a fizikai szerkezet visszafejtésétől az anyagszintű fizikai-kémiai jellemzésig. A félvezető minőségű, nagy pontosságú ellenőrző berendezéseket kihasználva pontosan számszerűsítjük az összetett 3D geometriai struktúrákat, a bevonat/hordozó felület tulajdonságait és az anyagfizikai paramétereket, biztosítva, hogy a visszafejtett termék megfeleljen ill. meghaladja az OEM-szabványokat a fizikai alkalmasság, a folyamatkompatibilitás és az élettartam tekintetében (Form-Fit-Function Replacement).

Mit mérünk (műszaki szállítmányok):

• Méret- és geometriai tűrések:Nagy pontosságú koordináta mérőgépek (CMM) és optikai 3D szkennerek segítségével teljes méretű pontfelhő modellezést és rekonstrukciót végzünk komplex üregszerkezetek és rögzítő/helymeghatározó furatok mikron szintű pontossággal.
• Felületi mikromorfológia és síkosság:Fehér fényű interferométerek és optikai profilométerek alkalmazása nanométeres léptékű felületi érdesség (Ra) és nagy felületű síkosság értékelésére, megfelelve az ostyakezelési és kamrazárási követelményeknek.
• Edge mikrofunkciók:Az élek R-sugarainak és letörési mikroprofiljainak nagy nagyítású leképezése a bevonat emelkedési morfológiájának optimalizálása és az éles sarkok feszültségkoncentrációjának elkerülése érdekében, amely magas hőmérsékletű rétegvesztést okozhat.
• Grafit szubsztrátum és termikus illeszkedés elemzése:A nagy tisztaságú grafit szubsztrátum sűrűségének, szemcseméretének és hőtágulási együtthatójának (CTE) értékelése a szubsztrátum és a CVD bevonat közötti hőfeszültség illeszkedésének biztosítása érdekében.
• Bevonat keresztmetszete és felületi ragasztási minősége:Roncsolásmentes XRF és metallográfiai keresztmetszetű SEM analízis az abszolút vastagság, a CVD bevonat radiális egyenletességének és az interfész behatolási mélységének mérésére.
• Fázisszerkezet és mikrokristály elemzés:A CVD SiC köbös fázis (β-SiC) tisztaságának XRD értékelése; a CVD TaC kémiai sztöchiometriai és kristályszerkezeti jellemzőinek minőségi értékelése.

Valódi eset és ügyfélelőnyök (tapasztalat):

Egy 12 hüvelykes félvezető maratási alkatrész vásárlója:Az OEM-ellátás megszűnt; csak egy kopott használt alkatrész volt elérhető. A CMM fordított modellezés + SEM bevonat keresztmetszeti elemzése révén 2 hónapon belül elvégeztük a pótalkatrészek fejlesztését és a szerszámon végzett tesztelést eredeti rajzok nélkül, így 100%-os beépítési illeszkedést értünk el. Végül az alkatrészbeszerzési ciklus az eredeti 6 hónapos import átfutási időről 2 hónapra csökkent, az egységbeszerzési költség 42%-kal esett vissza, és ezt a modellt stabilan szállították több mint 30 tételhez.

Szilícium-karbid (SiC) bevonat a SEM bevonat keresztmetszetén

GYIK

Kezdje el exkluzív szolgáltatását most