Hír

Hír

Örömmel osztjuk meg Önnel munkánk eredményét, céges híreinket, és időben tájékoztatást adunk a fejleményekről, a személyzeti kinevezési és eltávolítási feltételekről.
Üdvözöljük az ügyfelek, hogy meglátogassák a Vetekchemon SIC Coating/ TAC bevonatát és az Epitaxy Process Factory -t05 2024-09

Üdvözöljük az ügyfelek, hogy meglátogassák a Vetekchemon SIC Coating/ TAC bevonatát és az Epitaxy Process Factory -t

Szeptember 5 -én a Vetek Semiconductor ügyfelei meglátogatták a SIC Coating és a TAC bevonó gyárakat, és további megállapodásokat kötöttek a legújabb epitaxiális folyamatmegoldásokról.
Üdvözöljük vásárlóinkat a Veteksemicon szénszálas termékek gyárában10 2025-09

Üdvözöljük vásárlóinkat a Veteksemicon szénszálas termékek gyárában

2025. szeptember 5-én egy lengyelországi ügyfél látogatott el a VETEK gyárába, hogy megismerje fejlett technológiáinkat és innovatív eljárásainkat a szénszálas termékek gyártásában.
A Fab hozam maximalizálása: Miért a CVD Solid SiC a legjobb választás a kritikus kamra alkatrészekhez18 2026-04

A Fab hozam maximalizálása: Miért a CVD Solid SiC a legjobb választás a kritikus kamra alkatrészekhez

Megéri a befektetést a CVD Solid SiC? Hasonlítsa össze a monolit SiC és a hagyományos grafit bevonatok ROI-ját. Ismerje meg, hogy a kiváló plazmaellenállás és a kiterjesztett MTBC hogyan jelent alacsonyabb szelethulladék-arányt és magasabb berendezések üzemidejét a 12 hüvelykes HVM-vonalakon.
A CVD-SiC evolúciója a vékonyréteg-bevonatoktól az ömlesztett anyagokig10 2026-04

A CVD-SiC evolúciója a vékonyréteg-bevonatoktól az ömlesztett anyagokig

A nagy tisztaságú anyagok elengedhetetlenek a félvezetőgyártáshoz. Ezek a folyamatok rendkívüli hőhatást és korrozív vegyszereket foglalnak magukban. A CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) biztosítja a szükséges stabilitást és szilárdságot. Nagy tisztasága és sűrűsége miatt ma már elsődleges választás a fejlett berendezések alkatrészei számára.
A láthatatlan szűk keresztmetszet a szilícium-karbid növekedésében: Miért váltja fel a hagyományos port a 7N tömeges CVD SiC nyersanyag?07 2026-04

A láthatatlan szűk keresztmetszet a szilícium-karbid növekedésében: Miért váltja fel a hagyományos port a 7N tömeges CVD SiC nyersanyag?

A szilícium-karbid (SiC) félvezetők világában a legtöbb reflektorfény a 8 hüvelykes epitaxiális reaktorokra vagy az ostya polírozásának bonyolultságára világít. Ha azonban visszavezetjük az ellátási láncot a kezdetekig – a fizikai gőzszállító (PVT) kemencében – csendben zajlik le egy alapvető "anyagforradalom".
PZT piezoelektromos ostyák: Nagy teljesítményű megoldások a következő generációs MEMS-ekhez20 2026-03

PZT piezoelektromos ostyák: Nagy teljesítményű megoldások a következő generációs MEMS-ekhez

A gyors MEMS (Micro-Electromechanical Systems) evolúció korszakában a megfelelő piezoelektromos anyag kiválasztása az eszköz teljesítményét érintő döntés. A PZT (ólomcirkonát-titanát) vékonyrétegű ostyák elsőbbséget élveznek az olyan alternatívákkal szemben, mint az AlN (alumínium-nitrid), kiváló elektromechanikus csatolást kínálva a legmodernebb érzékelők és működtetők számára.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
Elutasít Elfogadás