Porózus grafit vezetőgyűrű

A termék fő előnyei

1. Ultra-nagy tisztaságú és alacsony hibagarancia

3000 ℃-os vákuumos, magas hőmérsékletű tisztítási eljárást alkalmaz a nem fémes szennyeződések, például az oxigén és a nitrogén mélyen történő eltávolítására, így a termék tisztasága ≥99,9995%-ra nő. Kiküszöböli a szennyeződések okozta kristályhibákat (pl. mikrotubulusok, diszlokációk) a forrásból, biztosítva a SiC egykristályok elektromos tulajdonságainak konzisztenciáját és stabilitását, és szilárd alapot teremt a kiváló minőségű kristálynövekedéshez.

2. Ultra-magas hőmérsékleti stabilitás és precíz termikus mező szabályozás

Kibírja az extrém magas, 2200 ℃ hőmérsékletet argon vagy vákuum környezetben, folyamatosan és stabilan működik több mint 1000 órán keresztül lágyulás vagy deformáció nélkül. A termék alacsony hőtágulási együtthatóval rendelkezik, amely hatékonyan képes elkerülni a termikus igénybevétel által okozott anyagrepedést. Támogatja a porozitás gradiens eloszlását (15-30%), és optimalizálja a pórusméretet (10-200 μm) a CFD (Computational Fluid Dynamics) szimulációs technológiával kombinálva, szabályozza a hőmérsékleti gradiens ingadozását ±3 ℃-on belül, és jelentősen javítja a hőmező egyenletességét és a kristálynövekedés konzisztenciáját.

3. Testreszabott alkalmazkodás és teljes forgatókönyv szerinti elégedettség

• Geometriai alakzat-adaptáció: Pontosan képes feldolgozni az összetett formákat, például a gyűrű alakú hordókat és a többrétegű pajzsszerkezeteket az ügyfelek kemenceszerkezeteinek megfelelően, a tökéletes illeszkedés és telepítés érdekében.
• Felületi folyamatok testreszabása: Személyre szabott felületkezelési szolgáltatásokat nyújt, például ultraprecíziós polírozást és speciális bevonatokat, nagymértékben növelve a termék korrózióállóságát és élettartamát.

4. Teljesítményellenőrzött és hatékonyságnövelt

• A PVT SiC kristályosítási folyamatban a mag hőmező komponenseként használva gyakorlati forgatókönyvek igazolták:
• A kristálynövekedési sebesség 15-20%-kal nő a hagyományos grafittermékekhez képest, jelentősen lerövidítve a gyártási ciklust.
• A 4 hüvelykes SiC egykristályos ostyák hozama meghaladja a 90%-ot, ami hatékonyan csökkenti a gyártási költségeket.
• A berendezések karbantartási ciklusa a hagyományos 3 hónapról 6 hónapra bővül, csökkentve a leállások gyakoriságát és javítva a termelés hatékonyságát.
  
  

Alkalmazási forgatókönyvek

• PVT Growth Furnace Assembly: A SiC anyag szublimációjának és kristálynövekedésének központi elemeként szolgál, stabil és egyenletes termikus téreloszlást biztosítva a kristályosodási folyamat zökkenőmentes előrehaladásának biztosítása érdekében.
• Hőmező árnyékoló komponens: Az egyedülálló porózus szerkezet hatékonyan pusztítja a hőfeszültséget, csökkenti a berendezés kopását és meghosszabbítja a berendezés teljes élettartamát.
• Magkristálytámasztó tartozék: Nagy mechanikai szilárdsággal rendelkezik a magkristályok stabil megtámasztásához, biztosítva az irányított kristálynövekedés pontosságát.
• Gázdiffúziós réteg: Optimalizálja a gázfázisú átvitel hatékonyságát, elősegíti a nyersanyagok egyenletes szublimációját és lerakódását, valamint tovább javítja az egykristály minőségét és növekedési sebességét.

Műszaki paraméterek

Core Competitive Highlights

• Extrém magas hőmérsékleti teljesítmény: Megtartja a szerkezeti stabilitást 2200 ℃-on lágyulás vagy deformáció nélkül, és támogatja a folyamatos működést több mint 1000 órán keresztül, hogy megfeleljen az extrém folyamatkövetelményeknek.
• Testreszabott termikus térmegoldás: A CFD szimulációs technológiára támaszkodik a pórusgradiens tervezésének optimalizálása, az ügyfelek folyamatigényeinek pontos megfelelése, valamint a kristályegyenletesség és a termékhozam javítása érdekében.
• Rapid Response Service: Folyamatparaméter-illesztési tesztszolgáltatásokat nyújt, és prototípus-megoldásokat szállít 72 órán belül, segítve az ügyfeleket a K+F és a gyártási folyamatok felgyorsításában.