Tudsz a MOCVD Susceptorról?

A fém-szerves kémiai gőzlerakódás (MOCVD) folyamatban az sumeptor kulcsfontosságú elem, amely felelős az ostya támogatásáért, valamint a lerakódási folyamat egységességének és pontos ellenőrzésének biztosításáért. Anyagkiválasztása és termékjellemzői közvetlenül befolyásolják az epitaxiális folyamat stabilitását és a termék minőségét.

MOCVD támogatás(A fém-szerves kémiai gőz lerakódása) a félvezető gyártásának kulcsfontosságú eleme. Elsősorban a moCVD (fém-szerves kémiai gőzlerakódás) folyamatban használják, hogy támogassák és melegítsék az ostyát a vékony film lerakódásához. Az sumceptor tervezése és anyagválasztása kulcsfontosságú a végtermék egységessége, hatékonysága és minősége szempontjából.

Terméktípus és anyagválasztás:

A MOCVD Susceptor tervezése és anyagválasztása sokrétű, általában a folyamatkövetelmények és a reakciókörülmények alapján.Az alábbiakban szerepelnek a közös terméktípusok és azok anyagai:

SIC bevonatú érzékeny(Szilícium -karbid bevonatú susceptor):

Leírás: A szubsztrátként grafit vagy más, magas hőmérsékletű anyagokkal vagy más magas hőmérsékletű anyagokkal, valamint CVD SIC bevonattal (CVD SIC bevonat) a felületen lévő CVD bevonattal (CVD SIC bevonat), hogy javítsa a kopásállóságot és a korrózióállóságot.

Alkalmazás: A MOCVD folyamatokban széles körben használják magas hőmérsékleten és erősen korrozív gázkörnyezetben, különösen a szilícium -epitaxiában és az összetett félvezető lerakódásban.

TAC bevonatú SUBERS:

Leírás: A TAC bevonattal (CVD TAC bevonat), mivel a fő anyagnak rendkívül nagy keménysége és kémiai stabilitása van, és rendkívül korróziós környezetben is alkalmas.

Alkalmazás: MOCVD folyamatokban használják, amelyek nagyobb korrózióállóságot és mechanikai szilárdságot igényelnek, például a gallium -nitrid (GaN) és a gallium -arzenid (GAAS) lerakódását.

Szilícium karbid bevonatú grafit -érzékeny a moCVD -hez:

Leírás: A szubsztrát grafit, és a felületet CVD SIC bevonat rétege borítja, hogy biztosítsa a stabilitást és a hosszú élettartamot a magas hőmérsékleten.

Alkalmazás: Olyan berendezésekhez, mint például az AIXTRON MOCVD reaktorok felhasználására, kiváló minőségű vegyület félvezető anyagok előállításához.

EPI támogatás (Epitaxy támogatója):

Leírás: Az epitaxiális növekedési folyamathoz kifejezetten a SIC bevonattal vagy TAC bevonattal tervezett Susceptor a hővezető képesség és a tartósság fokozása érdekében.

Alkalmazás: Szilícium -epitaxiában és vegyület félvezető epitaxiában az ostyák egyenletes fűtésének és lerakódásának biztosítására szolgál.

A Susceptor fő szerepe a moCVD -ben a félvezető feldolgozásban:

Ostya támogatása és egyenletes fűtés:

FUNKCIÓ: A Susceptor -ot használják a MOCVD reaktorok ostyáinak támogatására, és egységes hőeloszlás biztosítására indukciós fűtéssel vagy más módszerekkel az egységes film lerakódásának biztosítása érdekében.

Hővezetés és stabilitás:

FUNKCIÓ: A susceptor anyagok hővezető képessége és hőstabilitása döntő jelentőségű. A SIC bevonattal ellátott susceptor és a TAC-bevonatú susceptor képes fenntartani a magas hőmérsékletű folyamatok stabilitását a magas hővezetőképességük és a magas hőmérséklet-ellenállásuk miatt, elkerülve az egyenetlen hőmérséklet által okozott filmhibákat.

Korrózióállóság és hosszú élettartam:

Funkció: A MOCVD folyamatban a Susceptor különféle kémiai prekurzorgázoknak van kitéve. A SIC bevonat és a TAC bevonat kiváló korrózióállóságot biztosít, csökkenti az anyagfelület és a reakciógáz közötti kölcsönhatást, és meghosszabbítja a Susceptor élettartamát.

A reakciókörnyezet optimalizálása:

FUNKCIÓ: A kiváló minőségű érzékenyek használatával a MOCVD reaktorban a gázáramlás és a hőmérsékleti mező optimalizálódik, biztosítva az egységes filmlerakódási folyamatot, és javítva az eszköz hozamát és teljesítményét. Általában a MOCVD reaktorok és az AIXTRON MOCVD berendezések Susceptors -ban használják.

Termékjellemzők és technikai előnyök：

Nagy hővezető képesség és hőstabilitás:

Jellemzők: A SIC és a TAC bevonatú érzelmek rendkívül magas hővezetőképességgel rendelkeznek, gyorsan és egyenletesen eloszthatják a hőt, és magas hőmérsékleten fenntarthatják a szerkezeti stabilitást, hogy biztosítsák az ostya egyenletes fűtését.

Előnyök: MOCVD folyamatokhoz, amelyek pontos hőmérséklet -szabályozást igényelnek, például az összetett félvezetők, például a gallium -nitrid (GaN) és a gallium -arzenid (GAAS) epitaxiális növekedése.

Kiváló korrózióállóság:

Jellemzők: A CVD SIC bevonat és a CVD TAC bevonat rendkívül nagy kémiai tehetetlenséggel rendelkezik, és ellenáll a korrózív gázok, például a kloridok és a fluoridok korróziójának, megvédve a Susceptor szubsztrátját a károsodástól.

Előnyök: Bővítse ki a Susceptor élettartamát, csökkentse a karbantartási gyakoriságot és javítsa a MOCVD folyamat általános hatékonyságát.

Magas mechanikai erő és keménység:

Jellemzők: A SIC és a TAC bevonatok magas keménysége és mechanikai erőssége lehetővé teszi a Susceptor számára, hogy ellenálljon a mechanikai feszültségnek a magas hőmérsékleten és a magas nyomású környezetben, és fenntartja a hosszú távú stabilitást és pontosságot.

Előnyök: Különösen alkalmas félvezető gyártási folyamatokra, amelyek nagy pontosságot igényelnek, például epitaxiális növekedést és kémiai gőzlerakódást.

Piaci alkalmazás- és fejlesztési kilátások

MOCVD támogatássszéles körben használják a magas fényességű LED-ek, az elektronikus elektronikus eszközök (például a GaN-alapú HEMT-k), a napelemek és más optoelektronikus eszközök gyártásában. A magasabb teljesítmény és az alacsonyabb energiafogyasztási félvezető eszközök iránti növekvő kereslet mellett a MOCVD technológia tovább halad, és az innovációt ösztönzi a Susceptor Materials and Designs -ban. Például a SIC bevonási technológia fejlesztése magasabb tisztaságú és alacsonyabb hibás sűrűséggel, valamint a Susceptor szerkezeti tervezésének optimalizálása a nagyobb ostyákhoz való alkalmazkodáshoz és a bonyolultabb többrétegű epitaxiális folyamatokhoz.

A Vetek Semiconductor Technology Co., Ltd a félvezető ipar számára fejlett bevonó anyagok vezető szolgáltatója. Cégünk az iparág számára a legmodernebb megoldások fejlesztésére összpontosít.

Fő termékkínálatunk a CVD szilícium-karbid (SIC) bevonatok, a tantalum karbid (TAC) bevonatok, az ömlesztett SIC, a SIC porok és a nagy tisztaságú SIC anyagok, a SIC bevonattal ellátott grafit-susceptor, az előmelegítő gyűrűk, a TAC bevonatú diverziós gyűrű, a félmoon alkatrészek stb.

A Vetek Semiconductor az élvonalbeli technológia és a termékfejlesztési megoldások fejlesztésére összpontosít a félvezető ipar számára. Őszintén reméljük, hogy hosszú távú partnerré válhatunk Kínában.