Termékek
GaN epitaxiális grafitreceptor a G5-höz
  • GaN epitaxiális grafitreceptor a G5-hözGaN epitaxiális grafitreceptor a G5-höz
  • GaN epitaxiális grafitreceptor a G5-hözGaN epitaxiális grafitreceptor a G5-höz

GaN epitaxiális grafitreceptor a G5-höz

A VeTek Semiconductor egy professzionális gyártó és beszállító, amely kiváló minőségű GaN epitaxiális grafit szuszceptort biztosít a G5 számára. hosszú távú és stabil partneri kapcsolatokat alakítottunk ki számos ismert hazai és külföldi céggel, kivívva ügyfeleink bizalmát és tiszteletét.

A Vetek Semiconductor egy professzionális kínai GaN epitaxiális grafit -érzékeny a G5 gyártó és a szállító számára. A G5-es epitaxiális grafitszövetség egy kritikus komponens, amelyet az Aixtron G5 fém-szerves kémiai gőzlerakódás (MOCVD) rendszerben használnak a kiváló minőségű gallium-nitrid (GAN) vékony fóliák növekedéséhez, ez kritikus szerepet játszik az egységes hőmérséklet biztosítása során Eloszlás, hatékony hőátadás és minimális szennyeződés a növekedési folyamat során.


A vetek félvezető GaN epitaxiális grafit -érzékeny kulcsfontosságú jellemzői a G5 -hez:

-Nagy tisztaság: A szuszceptor nagy tisztaságú grafitból készül, CVD bevonattal, minimálisra csökkentve a növekvő GaN filmek szennyeződését.

-Kiváló hővezető képesség: A grafit magas hővezető képessége (150-300 W/(m·K)) egyenletes hőmérsékleteloszlást biztosít a szuszceptorban, ami egyenletes GaN filmnövekedést eredményez.

-Low hőtágulása: A Susceptor alacsony termikus tágulási együtthatója minimalizálja a termikus feszültséget és a repedést a magas hőmérsékleti növekedési folyamat során.

-Kémiai közömbösség: A grafit kémiailag inert, és nem lép reakcióba a GaN prekurzorokkal, megakadályozva a nem kívánt szennyeződéseket a kinőtt filmekben.

-Kompatibilitás az AIXTRON G5 -mel: A Susceptor -ot kifejezetten az AIXTRON G5 MOCVD rendszerben való felhasználásra tervezték, biztosítva a megfelelő illeszkedést és a funkcionalitást.


Alkalmazások:

Nagy fényerejű LED-ek: A GaN-alapú LED-ek nagy hatékonyságot és hosszú élettartamot kínálnak, így ideálisak általános világításhoz, autóvilágításhoz és kijelző alkalmazásokhoz.

Nagy teljesítményű tranzisztorok: A GaN tranzisztorok kiváló teljesítményt nyújtanak a teljesítménysűrűség, a hatékonyság és a kapcsolási sebesség tekintetében, így alkalmasak teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz.

Lézeres diódák: A GaN-alapú lézerdiódok nagy hatékonyságot és rövid hullámhosszokat kínálnak, így ideálisak az optikai tárolási és kommunikációs alkalmazásokhoz.


A G5 epitaxiális grafitszövet termékparamétere a G5 -hez

Az izosztatikus grafit fizikai tulajdonságai
Ingatlan Egység Tipikus érték
Ömlesztett sűrűség G/cm³ 1.83
Keménység HSD 58
Elektromos ellenállás μΩ.m 10
Hajlító szilárdság MPA 47
Nyomószilárdság MPA 103
Szakítószilárdság MPA 31
Young modulusa GPA 11.8
Hőtágulás (CTE) 10-6K-1 4.6
Hővezető képesség W · m-1· K-1 130
Átlagos szemcseméret μm 8-10
Porozitás % 10
Hamutartalom ppm ≤10 (a tisztítás után)

Megjegyzés: Bevonás előtt az első tisztítást, a bevonat után a második tisztítást végezzük.


A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályszerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség 3,21 G/cm³
Keménység 2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret 2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPA RT 4-Pont
Young modulja 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető képesség 300w · m-1· K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5 × 10-6K-1


VeTek Semiconductor Production Shop:

VeTek Semiconductor Production Shop


Kérdés küldése
Elérhetőségei
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás