Alumínium-nitrid (AlN) lapkák

1. Főbb jellemzők és előnyök

• Ultraszéles sávszélesség ≈ 6,2 eV – a legmagasabb a főbb félvezető anyagok között

• Nagy hővezető képesség ≈ 320 W/m·K a hatékony hőelvezetés érdekében

• Kiváló elektromos szigetelés (>10¹³ Ω·cm) és nagy áttörési tér (12-15 MV/cm)

• Jó rács és hőtágulási illeszkedés GaN-nel – ideális GaN-on-AlN heterostruktúrákhoz

• Alacsony diszlokációs sűrűség opciók szoros HR-XRD lengőgörbe szabályozással

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) és N-face MP epi-ready felületekhez

• Több méret és minőségi fokozat (P / R / D) a gyártási és kutatási követelményeknek megfelelően

2. Tipikus alkalmazások

• Nagy teljesítményű RF eszközök radar és 6G kommunikációhoz

• Nagyfeszültségű teljesítményelektronika hálózatokhoz, adatközpontokhoz és elektromos járművekhez

• Mély-ultraibolya (UVC) LED-ek és lézerdiódák

• GaN-on-AlN epitaxiális növekedés és fejlett heterostruktúrájú eszközök

• Magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás és durva környezeti hatású félvezető alkatrészek

3. Elérhető méretek és minőségi fokozatok

A VeTek az AlN lapkákat a következő szabványos formátumokban kínálja. Egyedi méretek és specifikációk kérésre megbeszélhetők.

• 10 × 10 mm-es négyzet alakú aljzatok

• 1 hüvelykes (25,4 mm) ostya

• 2 hüvelykes (50,8 mm) ostya

Minőségi fokozatok: P-fokozat (termék), R-fokozat (kutatás), D-fokozat (kísérleti), főként a HR-XRD lengőgörbe FWHM és az általános kristályminőség alapján különböztethető meg.

4. Főbb műszaki előírások

Gyakori paraméterek a méretek között (tipikus értékek; fokozatfüggő, ahol meg van jelölve):

Méretspecifikus geometriai tűrések:

• 10×10 mm: Oldalhossz 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Íj ≤ 15 μm

• 1 hüvelykes: átmérő 25,4 mm ± 0,5 mm; Használható terület ≥ 90%; TTV ≤ 20 μm; Íj ≤ 20 μm; Elsődleges lapos (10-10) ± 5°, hossza 8 mm ± 1 mm

• 2 hüvelykes: átmérő 50,8 mm ± 0,5 mm; Használható terület ≥ 90%; TTV ≤ 30 μm; Íj ≤ 30 μm; Elsődleges lapos hossz 16 mm ± 2 mm

5. Miért válassza a VeTek AlN ostyát?

Fejlett félvezető anyagok és alkatrészek speciális szállítójaként a VeTek Semiconductor a következőket kínálja:

• Kiváló minőségű AlN egykristály ostyák ellenőrzött kristályminőséggel és epi-ready felületekkel

• Többféle méret és minőség az eszközgyártási és kutatási programok támogatásához

• Kiegészítő lapka és hordozó megoldások a VeTek félvezető anyagok portfóliójában

• Technikai támogatás az anyagválasztáshoz és a folyamat-illesztéshez

AlN lapkáink segítenek ügyfeleinknek a nagyteljesítményű RF, nagyfeszültségű és mély-UV optoelektronikai eszközök fejlesztésében, amelyek megkövetelik az alumínium-nitrid által kínált ultraszéles sávszélesség, nagy hővezetőképesség és GaN-kompatibilitás egyedülálló kombinációját.