CVD TaC bevonatú szuszceptor

A termék meghatározása és összetétele

A VETEK CVD TaC Coated Susceptor egy csúcskategóriás lapkahordozó komponens, amelyet kifejezetten a harmadik generációs félvezető (SiC, GaN, AlN) epitaxiális feldolgozáshoz használnak. Ez a termék két nagy teljesítményű anyag fizikai előnyeit egyesíti:

Nagy tisztaságú grafit szubsztrát: Izosztatikus préselési eljárást alkalmaz annak biztosítására, hogy az aljzat kiváló szerkezeti szilárdsággal, nagy sűrűséggel és hőkezelési stabilitással rendelkezzen.

CVD TaC bevonat: Sűrű, feszültségmentes tantál-karbid (TaC) védőréteget növeszt a grafit felületén a fejlett kémiai gőzleválasztás (CVD) technológia révén.

Alapvető műszaki előnyök: Rendkívüli extrém alkalmazkodóképesség a környezethez

A MOCVD eljárásban a TaC bevonat nemcsak fizikai védőréteg, hanem a folyamat megismételhetőségének magja is:

Extrém magas hőmérsékletekkel szembeni tolerancia: A TaC olvadáspontja eléri a 3880°C-ot, ami kiváló alakstabilitást tart fenn még ultramagas hőmérsékletű epitaxiális folyamatokban is, 1600°C felett.

Kiváló korrózióállóság: Erősen redukáló környezetben, amely NH₃-t (ammóniát) vagy H₂-t (hidrogént) tartalmaz, a TaC korróziós sebessége rendkívül alacsony, hatékonyan megakadályozva az aljzatveszteséget és a szennyeződések kicsapódását.

Ultra-nagy tisztaságú garancia: A bevonat tisztasága eléri a 99,9995%-ot. Sűrű szerkezete teljesen lezárja a grafit mikropórusokat, így az epitaxiális film rendkívül alacsony szennyeződési szintet ér el.

Pontos hőmező-elosztás: A VETEK optimalizált bevonatszabályozási technológiája biztosítja, hogy a szuszceptor felületi hőmérséklet-különbsége ±2°C-on belül szabályozható legyen, jelentősen javítva az ostya epitaxiális réteg vastagságát és hullámhossz-konzisztenciáját.

Műszaki paraméterek

Tantál-karbid (TaC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten:

Alapvető alkalmazási területek

SiC (szilícium-karbid) epitaxiális növekedés: 6 hüvelykes, 8 hüvelykes és nagyobb méretű SiC tápegységek gyártását támogatja.

GaN (gallium-nitrid) alapú eszközök: MOCVD eljárásokban használják nagy fényerejű LED-ekhez, HEMT tápegységekhez és RF chipekhez.

AlN (alumínium-nitrid) és UVC növekedés: Extrém magas hőmérsékletű (1400°C+) hordozómegoldásokat biztosít az ultraszéles sávszélességű anyagokhoz, például a Deep UV LED-ekhez.

Testreszabott kutatási támogatás: Alkalmazkodik a kutatóintézetek precíziós testreszabási igényeihez különféle szabálytalan alkatrészek és többlyukú lemezek esetében.

Kompatibilis modellek és testreszabási szolgáltatások

A VETEK precíz mechanikai feldolgozási és bevonási képességekkel rendelkezik, tökéletesen alkalmazkodik a globális főáramú MOCVD berendezésekhez:

AIXTRON: Támogatja a különféle bolygóforgató lemezeket és alapokat.

Veeco: Támogatja a K465i, a Propel és más függőleges szuszceptor sorozatokat.