Web menü

Termékkeresés

Nyelv

Termékek
Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hez
  • Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hezTantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hez
  • Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hezTantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hez
  • Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hezTantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hez

Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hez

A VeTek Semiconductor a tantál-karbiddal bevont félholdas alkatrészek vezető szállítója Kínában az LPE-hez, sok éve a TaC bevonat technológiájára összpontosítva. Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrészünket LPE-hez folyékony fázisú epitaxiás folyamathoz tervezték, és ellenáll a 2000 Celsius-fok feletti magas hőmérsékletnek. Kiváló anyagteljesítménynek és folyamatinnovációnak köszönhetően termékeink élettartama vezető szinten van az iparágban. A VeTek Semiconductor örömmel várja, hogy hosszú távú partnere legyen Kínában.
Kérdés küldése
termékleírás

Professzionális gyártóként a VeTek Semiconductor kiváló minőségű tantál-karbid bevonatú félhold alkatrészt szeretne kínálni az LPE-hez.

A VeTek Semiconductor egy professzionális vezető kínai SiC, TaC bevonat, szilárd szilícium-karbid gyártó kiváló minőséggel és elfogadható áron. Az LPE-hez készült tantál-karbid bevonatú félhold alkatrészünket a vízszintes és függőleges epitaxiás berendezések reakciókamrájában használják hordozó, hőmérséklet-szabályozás és hő szállítására. konzerválás, szellőzés, védelem és egyéb funkciók a SiC epitaxy réteg növekedésének vastagságának, adalékolásának, hibáinak és egyéb anyagjellemzőinek együttes szabályozása érdekében a reakciókamrában.

VeTek Semiconductor kapcsolódó termékek: felső félhold, alsó félhold, védőburkolat, szigetelőburkolat, folyamatlevegő-elterelő interfész. Cégünk elkötelezett amellett, hogy a reakciókamrás SiC bevonatú és TaC bevonatú alkatrészmegoldások teljes skáláját kínálja ügyfeleinek.


A tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész termékparaméterei LPE-hez

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség 14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező 0.3
Hőtágulási együttható 6,3×10-6/K
Keménység (HK) 2000 HK
Ellenállás 1×10-5Ohm*cm
Hőstabilitás <2500 ℃
A grafit mérete megváltozik -10-20um
Bevonat vastagsága ≥20um tipikus érték (35um±10um)


VeTek Semiconductor Production Shop：

VeTek Semiconductor Production Shop


A félvezető chipek epitaxiás ipari láncának áttekintése:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Hot Tags: Tantál-karbid bevonatú félhold alkatrész LPE-hez, Kína, Gyártó, Szállító, Gyári, Testreszabott, Vásárlás, Speciális, Tartós, Kínában gyártott
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Elérhetőségei
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
NÉV WuYi TianYao New Material Tech.Co., Ltd.
HOZZÁAD Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang tartomány, Kína
TEL +86-579-87223657
FAX +86-579-87223657
Sera +86-15988690905
Tina +86-18069220752
Email anny@veteksemi.com
WEB www.veteksemicon.com
Kapcsolódó termékek
Tantalum karbid bevonatú bolygó rotációs lemez
Tantalum karbid bevonatú bolygó rotációs lemez Mutass többet >>
TAC bevonatgyűrű a SIC epitaxiális reaktorhoz
TAC bevonatgyűrű a SIC epitaxiális reaktorhoz Mutass többet >>
TAC bevonattal bevont deflektor gyűrű
TAC bevonattal bevont deflektor gyűrű Mutass többet >>
Tantalum karbid bevonó burkolat
Tantalum karbid bevonó burkolat Mutass többet >>
Tantalum karbid bevont burkolat
Tantalum karbid bevont burkolat Mutass többet >>
Tantalum karbid bevonatú chuck
Tantalum karbid bevonatú chuck Mutass többet >>
Hírek Ajánlások
Miért stabil a SiC PVT kristálynövekedés a tömeggyártásban?
Miért stabil a SiC PVT kristálynövekedés a tömeggyártásban?Mutass többet >>
Miért nem sikerül a SIC bevonatú grafit -susceptor? - Vetek félvezető
Miért nem sikerül a SIC bevonatú grafit -susceptor? - Vetek félvezetőMutass többet >>
Olaszország LPE 200 mm -es SIC epitaxiális technológiájának előrehaladása
Olaszország LPE 200 mm -es SIC epitaxiális technológiájának előrehaladásaMutass többet >>
Miért az üveges szénbevonatú grafittégely a preferált választás nagy tisztaságú félvezető és kristálynövekedési alkalmazásokhoz
Miért az üveges szénbevonatú grafittégely a preferált választás nagy tisztaságú félvezető és kristálynövekedési alkalmazásokhozMutass többet >>
Miért kerül be a CO₂ az ostyakockázási folyamat során?
Miért kerül be a CO₂ az ostyakockázási folyamat során?Mutass többet >>
Hogyan befolyásolja a félvezető kvarctégely teljesítménye a kristálynövekedés stabilitását?
Hogyan befolyásolja a félvezető kvarctégely teljesítménye a kristálynövekedés stabilitását?Mutass többet >>
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás