Tantál-karbiddal (TaC) bevont porózus grafit a SiC kristálynövekedéshez

A VeTek félvezető tantál-karbid bevonatú porózus grafitot úgy tervezték, hogy négy alapvető műszaki funkción keresztül optimalizálja a SiC kristályok növekedési környezetét:

● Gőzkomponens-szűrés: A precíz porózus szerkezet nagy tisztaságú szűrőként működik, biztosítva, hogy csak a kívánt gőzfázisok járuljanak hozzá a kristályképződéshez, ezáltal javítva az általános tisztaságot.

● Precíziós hőmérsékletszabályozás: A TaC bevonat növeli a hőstabilitást és a vezetőképességet, lehetővé téve a helyi hőmérsékleti gradiensek pontosabb beállítását és a növekedési sebesség jobb szabályozását.

● Irányított áramlási irány: A szerkezeti kialakítás megkönnyíti az anyagok irányított áramlását, biztosítva, hogy az anyagokat pontosan oda szállítsák, ahol az egyenletes növekedés elősegítése érdekében szükséges.

● Hatékony szivárgásszabályozás: Termékünk kiváló tömítési tulajdonságokat biztosít a növekedési légkör integritásának és stabilitásának megőrzése érdekében.

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai

Összehasonlítás a hagyományos grafittal

Tantál-karbid (TaC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten

Alkalmazási hatás: Hibaminimalizálás a PVT-folyamatban

A PVT (fizikai gőzszállítás) folyamatban a hagyományos grafit VeTek TaC bevonatú porózus grafittal történő cseréje közvetlenül orvosolja az ábrán látható gyakori hibákat:

● Ekorlátozza a szénzárványokat: A szilárd részecskék gátjaként hatékonyan megszünteti a szénzárványokat és csökkenti a hagyományos tégelyekben szokásos mikrocsöveket.

● A szerkezeti integritás megőrzése: Megakadályozza a maratási gödrök és mikrotubulusok kialakulását a hosszú ciklusú SiC egykristálynövekedés során.

● Magasabb hozam és minőség: A hagyományos anyagokhoz képest a TaC bevonatú alkatrészek tisztább növekedési környezetet biztosítanak, ami lényegesen magasabb kristályminőséget és termelési hozamot eredményez.