GaN Epitaxy Undertaker

A GaN Epitaxy egy fejlett félvezető gyártási technológia, amelyet nagy teljesítményű elektronikus és optoelektronikus eszközök előállításához használnak. Különböző szubsztrát anyagok szerintGaN epitaxiális ostyákfel lehet osztani GaN-alapú GAN, SIC-alapú GAN, zafír-alapú GAN ésGan-on-Si.

       A MOCVD folyamat egyszerűsített vázlata a GaN epitaxia előállításához

A GaN Epitaxy előállításában a szubsztrátot nem lehet egyszerűen valahol az epitaxiális lerakódás céljából elhelyezni, mivel különféle tényezőket foglal magában, mint például a gázáramlás iránya, a hőmérséklet, a nyomás, a rögzítés és a csökkenő szennyező anyagok. Ezért alapra van szükség, majd a szubsztrátot a lemezre helyezik, majd az epitaxiális lerakódást végezzük a szubsztrátumon CVD technológiával. Ez az alap a Gan Epitaxy Susceptor.

A SIC és a GaN közötti rácsos eltérés kicsi, mivel a SIC hővezető képessége sokkal magasabb, mint a Gan, a SI és a Sapphireé. Ezért, függetlenül a szubsztrát GaN epitaxiális ostyától, a SIC bevonattal ellátott GaN Epitaxy Ssceptor jelentősen javíthatja az eszköz termikus tulajdonságait és csökkentheti az eszköz csatlakozási hőmérsékletét.

A rácsos eltérés és az anyagok termikus eltérési kapcsolatai

A Vetek Semiconductor által gyártott Gan Epitaxy Susceptor a következő tulajdonságokkal rendelkezik:

Anyag: A Susceptor nagy tisztaságú grafitból és egy SIC bevonatból készül, amely lehetővé teszi, hogy ellenálljon a magas hőmérsékleteknek, és kiváló stabilitást biztosítson az epitaxiális gyártás során.

Hővezető képesség: A jó hőteljesítmény lehetővé teszi a pontos hőmérséklet -szabályozást, és a GaN Epitaxy Susceptor jó hővezető képessége biztosítja a GaN epitaxia egyenletes lerakódását.

Kémiai stabilitás: A SIC bevonat megakadályozza a szennyeződést és a korróziót, így a GaN Epitaxy Susceptor ellenáll a MOCVD rendszer szigorú kémiai környezetének, és biztosíthatja a Gan epitaxia normál előállítását.

Tervezés: A szerkezeti tervezést az ügyfelek igényei szerint hajtják végre, például hordó alakú vagy palacsinta alakú érzelmeket. Különböző struktúrákat optimalizálnak a különböző epitaxiális növekedési technológiákhoz, hogy biztosítsák a jobb ostya hozamát és a réteg egységességét.

Bármi legyen is a NeedR, a Vetek Semiconductor a legjobb termékeket és megoldásokat nyújthatja Önnek. Bármikor várom a konzultációt.

Alapvető fizikai tulajdonságaiCVD SIC bevonat:

Vetek félvezetőGaN Epitaxy Susceptor shops: