A TAC bevonat képes ellenállni a 2200 ℃ magas hőmérsékletnek. A Vetek Semiconductor nagy tisztaságú TAC bevonatot biztosít 5pm alatti szennyeződésekkel Kínában. A TAC bevonat talapzatának tartó lemeze képes ellenállni az ammónia -hidrogénnek, az argoninnak az epitaxiális eszköz reakciókamrájában. Javítja a termék szerviz élettartamát. Ön biztosítja a követelményeket, a testreszabást biztosítjuk.
A Vetek Semiconductor a kínai gyártó és beszállító, aki elsősorban CVD TAC bevonat -érzelmeket, bemeneti gyűrűt, Wafer chunck -t, TAC bevonattal ellátott tartót, TAC bevonó talapzási támogató lemezt állít elő, sok éves tapasztalattal. Remélem, hogy üzleti kapcsolatot alakíthat ki veled.
A TAC -kerámia olvadási pontja legfeljebb 3880 ℃, nagy keménység (Mohs keménység 9 ~ 10), nagy hővezető képesség (22W · m-1· K−1), nagy hajlítási szilárdság (340 ~ 400mPa) és kis hőtágulási együttható (6,6 × 10−6K−1), és kiváló termokémiai stabilitást és kiváló fizikai tulajdonságokat mutat. Jó kémiai és mechanikai kompatibilitással rendelkezik a grafit és a c/c kompozit anyagokkal, tehát a TAC bevonatot széles körben használják repülőgép -termikus védelemben, egykristálynövekedésben és epitaxiális reaktorokban, mint például az Aixtron, az LPE EPI reaktor a félvezető iparban.
A TAC bevonatú grafit jobb kémiai korrózióállósággal rendelkezik, mint a csupasz kő tinta vagy a SIC bevonatú grafit, stabilan használható 2200 ° -os hőmérsékleten, nem reagál sok fém elemmel, a félvezető egyszemélyes kristálynövekedés harmadik generációja, az epitaxia és a ostya maratási jelenet a legjobb teljesítmény -bevonat, és jelentősen javíthatja a hőmérsékleti és a behatolási ellenőrzés előkészítését, a magas színvonalú ifinőségi istrs -offinomonos wafting jelenetet, és jelentősen javíthatja a hőmérsékleti és a behatolási ellenőrzés előkészítését. ostyák. Különösen alkalmas a GAN vagy az ALN egykristályok termesztésére MOCVD berendezésekben és SIC egykristályokban a PVT berendezésekben, és az egykori termesztett egy kristály minősége nyilvánvalóan javul.
TAC bevonat és SIC bevonat pótalkatrészek, amelyeket megtehetünk:
A TAC bevonat paramétere:
A TAC bevonat fizikai tulajdonságai
TAC bevonat sűrűsége
14.3 (g/cm³)
Specifikus emisszióképesség
0.3
Hőtágulási együttható
6.3 10-6/K
TAC bevonat keménység (HK)
2000 HK
Ellenállás
1 × 10-5Ohm*cm
Hőstabilitás
<2500 ℃
Grafit méretű változások
-10 ~ -20um
Bevonat vastagsága
≥20um tipikus érték (35um ± 10um)
VeTekFélvezető chip epitaxy ipari lánc ipari lánc:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat