A Vetek Semiconductor kitűnően szorosan együttműködik az ügyfelekkel, hogy egyedi igényekhez igazítsák a SIC bevonó bemeneti gyűrűt. Ezeket a SIC bevonó bemeneti gyűrűt aprólékosan fejlesztették ki különféle alkalmazásokhoz, például a CVD SIC berendezésekhez és a szilícium -karbid -epitaxiához. A testreszabott SIC bevonó bemeneti gyűrűs oldatokhoz ne habozzon kapcsolatba lépni a Vetek félvezetővel személyre szabott segítségért.
A kiváló minőségű SiC bevonat bemeneti gyűrűt a kínai Vetek Semiconductor gyártó kínálja. Vásároljon SiC bevonat bemeneti gyűrűt, amely kiváló minőségű közvetlenül alacsony áron.
A Vetek Semiconductor a félvezető ipar számára szabott fejlett és versenyképes gyártóberendezések szállítására szakosodott, a SIC-bevonatú grafit alkatrészekre összpontosítva, mint például a SIC bevonó bemeneti gyűrű a harmadik generációs SIC-CVD rendszerekhez. Ezek a rendszerek megkönnyítik a szilícium -karbid szubsztrátok egyenletes egykristályos epitaxiális rétegeinek növekedését, elengedhetetlenek az olyan energiakészülékek gyártásához, mint a Schottky diódák, IGBT -k, MOSFET -ek és különféle elektronikus alkatrészek.
A SIC-CVD berendezések zökkenőmentesen összeolvadnak a folyamat és a berendezések, figyelemre méltó előnyöket kínálva a nagy termelési kapacitásban, kompatibilitás a 6/8 hüvelykes ostyákkal, a költséghatékonyság, a folyamatos automatikus növekedés-ellenőrzés több kemencén keresztül, alacsony hibás sebességgel és a kényelmes karbantarthatóság és megbízhatóság a hőmérsékleten keresztül és az áramlási mezővezérlő tervek. Ha párosul a SIC bevonó bemeneti gyűrűnkkel, javítja a berendezések termelékenységét, meghosszabbítja az operatív élettartamot és hatékonyan kezeli a költségeket.
A Vetek Semiconductor SIC bevonó bemeneti gyűrűjét nagy tisztaság, stabil grafit tulajdonságok, pontos feldolgozás és a CVD SIC bevonat további előnye jellemzi. A szilícium -karbid bevonatok magas hőmérsékleti stabilitása a szubsztrátokat a hőtől és a kémiai korróziótól szélsőséges környezetben. Ezek a bevonatok szintén nagy keménységet és kopásállóságot kínálnak, biztosítva a szubsztrát hosszabb élettartamát, a korrózióállóságot a különféle vegyi anyagok ellen, alacsony súrlódási együtthatók a csökkentett veszteségekhez és javított hővezető képesség a hatékony hőeloszláshoz. Összességében a CVD szilícium -karbid bevonatok átfogó védelmet nyújtanak, meghosszabbítva a szubsztrát élettartamát és javítják a teljesítményt.
A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:
A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan
Tipikus érték
Kristályszerkezet
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség
3,21 g/cm³
Keménység
2500 VICKERS keménység (500G terhelés bel
Szemcseméret
2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság
99,99995%
Hőkapacitás
640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet
2700 ℃
Hajlító szilárdság
415 MPA RT 4-Pont
Young modulja
430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség
300w · m-1· K-1
Hőtágulás (CTE)
4,5 × 10-6K-1
Gyártó üzletek:
A félvezető chipek epitaxiás ipari láncának áttekintése:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat