SIC bevonatú ostya -tartó

VAz ETEK Semiconductor SIC bevonatú ostya tartóját általában az ostyák rögzítésére és támogatására használják a félvezető feldolgozása során. Nagy teljesítményűostyahordozóSzéles körben használják a félvezető gyártásában. Egy réteg szilícium -karbid (sic) bevonásával aszubsztrát, A termék hatékonyan megakadályozhatja a szubsztrát korrózióját, és javíthatja az ostya hordozójának korrózióállóságát és mechanikai szilárdságát, biztosítva a feldolgozási folyamat stabilitási és pontossági követelményeit.

SIC bevonatú ostya -tartóÁltalában az ostyák rögzítésére és támogatására használják a félvezető feldolgozása során. Ez egy nagy teljesítményű ostyahordozó, amelyet széles körben használnak a félvezető gyártásában. Egy réteg bevonásávalSzilícium -karbid (sic)A szubsztrát felületén a termék hatékonyan megakadályozhatja a szubsztrát korrózióját, és javíthatja a korrózióállóságot és a mechanikai szilárdságotostyahordozó, biztosítva a feldolgozási folyamat stabilitási és precíziós követelményeit.

A szilícium -karbid (SIC) olvadáspontja körülbelül 2730 ° C, kiváló hővezető képessége körülbelül 120 - 180 W/m · K. Ez a tulajdonság gyorsan eloszlathatja a hőt a magas hőmérsékletű folyamatokban, és megakadályozhatja a ostya és a hordozó közötti túlmelegedést. Ezért a SIC bevonatú ostya tartó általában szilícium -karbid (SIC) bevonatú grafitot használ szubsztrátként.

A SIC rendkívül magas keménységével (a Vickers keménységének kb. 2500 HV) kombinálva a CVD eljárás által lerakott szilícium -karbid (SIC) bevonat sűrű és erős védőbevonatot képezhet, amely jelentősen javítja a SIC bevonatú ostya tulajdonos kopási ellenállását.

A Vetek Semiconductor SIC bevonatú ostya tartója SIC bevonatú grafitból készül, és elengedhetetlen kulcseleme a modern félvezető epitaxia folyamatokban. Ügyesen ötvözi a grafit kiváló hővezető képességét (a hővezető képesség körülbelül 100-400 W/m · K szobahőmérsékleten) és a mechanikai szilárdság, valamint a szilícium-karbid kiváló kémiai korrózióállóságának és termikus stabilitásának (a SIC olvadási pontja kb.

Ez a WAFFER Design-tartó pontosan ellenőrizheti aepitaxiális folyamatParaméterek, amelyek elősegítik a kiváló minőségű, nagy teljesítményű félvezető eszközök előállítását. Egyedülálló szerkezeti kialakítása biztosítja, hogy az ostya a teljes folyamat során a legnagyobb gondossággal és pontossággal kezelje, ezáltal biztosítva az epitaxiális réteg kiváló minőségét és javítva a végső félvezető termék teljesítményét.

Mint Kína vezetőjeSic bevonatúA WAFER Tulajdonos gyártója és vezetője, a Vetek Semiconductor testreszabott termékeket és műszaki szolgáltatásokat nyújthat az Ön berendezése és folyamatkövetelményei szerint.Őszintén reméljük, hogy hosszú távú partnere leszünk Kínában.

A CVD SIC filmkristályszerkezet SEM -adatai

A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai

Vetek Semiconductor SIC bevonatú ostya -tartó produkciós üzletek ：