Termékek
SIC bevonó ostyahordozó
  • SIC bevonó ostyahordozóSIC bevonó ostyahordozó

SIC bevonó ostyahordozó

Professzionális SIC bevonó ostyahordozó gyártójaként és beszállítójaként a Vetek Semiconductor SIC bevonó ostya hordozóit elsősorban az epitaxiális réteg növekedési egységességének javítására használják, biztosítva azok stabilitását és integritását a magas hőmérsékleten és a korrozív környezetben.

A Vetek Semiconductor a nagyteljesítményű SIC bevonó ostya hordozók gyártására és szállítására szakosodott, és elkötelezett amellett, hogy fejlett technológiát és termékmegoldásokat biztosítson a félvezető ipar számára.


A félvezető gyártásában a Vetek Semiconductor SIC bevonó ostya hordozója kulcseleme a kémiai gőzlerakódás (CVD) berendezéseknél, különösen a fém szerves kémiai gőzlerakódási (MOCVD) berendezésekben. Fő feladata az egykristályos szubsztrát támogatása és melegítése, hogy az epitaxiális réteg egyenletesen növekedhessen. Ez elengedhetetlen a kiváló minőségű félvezető eszközök gyártásához.


A SIC bevonat korrózióállósága nagyon jó, amely hatékonyan megvédi a grafit alapot a korrozív gázoktól. Ez különösen fontos a magas hőmérsékleten és korrozív környezetben. Ezenkívül a SIC anyag hővezető képessége szintén nagyon kiváló, amely egyenletesen képes hőt viselni és biztosítani az egységes hőmérséklet -eloszlást, ezáltal javítva az epitaxiális anyagok növekedési minőségét.


A SIC bevonat fenntartja a kémiai stabilitást a magas hőmérsékleten és a korrozív légkörben, elkerülve a bevonat meghibásodásának problémáját. Ennél is fontosabb, hogy a SIC termikus tágulási együtthatója hasonló a grafitéhoz, amely elkerülheti a bevonás problémáját a termikus tágulás és az összehúzódás miatt, és biztosíthatja a bevonat hosszú távú stabilitását és megbízhatóságát.


Alapvető fizikai tulajdonságaiSIC bevonó ostyahordozó:


A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan
Tipikus érték
Kristályszerkezet
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség
3,21 g/cm³
Keménység
2500 VICKERS keménység (500G terhelés bel
Szemcseméret
2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság
99,99995%
Hőkapacitás
640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet
2700 ℃
Hajlító szilárdság
415 MPA RT 4-Pont
Young modulus
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Hővezető képesség
300w · m-1· K-1
Hőtágulás (CTE)
4,5 × 10-6K-1


Gyártóüzlet:

VeTek Semiconductor Production Shop


A félvezető chip -epitaxia ipari láncának áttekintése:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Hot Tags: SIC bevonó ostyahordozó, szilícium karbid ostya hordozó, félvezető ostya támogatás
Kérdés küldése
Elérhetőségei
Ha kérdése van a szilícium-karbid bevonattal, a tantál-karbid bevonattal, a speciális grafittal vagy az árlistával kapcsolatban, kérjük, hagyja nekünk e-mail-címét, és 24 órán belül felvesszük Önnel a kapcsolatot.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept