Termékek
Nagy méretű ellenállásfűtéses SiC kristály növesztő kemence
  • Nagy méretű ellenállásfűtéses SiC kristály növesztő kemenceNagy méretű ellenállásfűtéses SiC kristály növesztő kemence

Nagy méretű ellenállásfűtéses SiC kristály növesztő kemence

A szilícium-karbid kristálynövekedés a nagy teljesítményű félvezető eszközök gyártási folyamatának egyik alapvető folyamata. A kristálynövesztő berendezés stabilitása, pontossága és kompatibilitása közvetlenül meghatározza a szilícium-karbid tömbök minőségét és hozamát. A fizikai gőzszállítás (PVT) technológia jellemzői alapján a Veteksemi kifejlesztett egy ellenállásfűtő kemencét szilícium-karbid kristályok növesztésére, amely lehetővé teszi a 6 hüvelykes, 8 hüvelykes és 12 hüvelykes szilícium-karbid kristályok stabil növekedését, teljes kompatibilitást vezető, félig szigetelő anyagrendszerekkel és N-típusú anyagrendszerekkel. A hőmérséklet, a nyomás és a teljesítmény precíz szabályozása révén hatékonyan csökkenti a kristályhibákat, mint például az EPD (Etch Pit Density) és a BPD (alapsík diszlokáció), miközben alacsony energiafogyasztással és kompakt kialakítással rendelkezik, hogy megfeleljen az ipari nagyméretű gyártás magas követelményeinek.

Műszaki paraméterek

Paraméter
Specifikáció
Növekedési folyamat
Fizikai gőzszállítás (PVT)
Fűtési módszer
Grafit ellenállás fűtés
Alkalmazható kristályméretek
6 hüvelyk, 8 hüvelyk, 12 hüvelyk (kapcsolható; kamracsere ideje < 4 óra)
Kompatibilis kristálytípusok
Vezetőképes típus, félig szigetelő típus, N-típus (teljes sorozat)
Maximális üzemi hőmérséklet
≥2400 ℃
Végső vákuum
≤9×10⁻⁵Pa (hideg kemence állapota)
Nyomásemelkedési sebesség
≤1,0 Pa/12h (hideg kemence)
Kristálynövekedési Erő
34,0 kW
Teljesítményszabályozás pontossága
±0,15% (stabil növekedési körülmények között)
Nyomásszabályozás pontossága
0,15Pa (növekedési szakasz); fluktuáció <±0,001 Torr (1,0 Torrnál)
Crystal defektsűrűség
BPD < 381 ea/cm²; TED < 1054 e/cm²
Kristály növekedési ráta
0,2-0,3 mm/h
Kristály növekedési magasság
30-40 mm
Teljes méretek (Sz × M × Ma)
≤1800mm × 3300mm × 2700mm


Alapvető előnyei


 Teljes méretű kompatibilitás

Lehetővé teszi a 6 hüvelykes, 8 hüvelykes és 12 hüvelykes szilícium-karbid kristályok stabil növekedését, teljesen kompatibilis a vezetőképes, félig szigetelő és N típusú anyagrendszerekkel. Lefedi a különböző specifikációjú termékek gyártási igényeit, és alkalmazkodik a különféle alkalmazási forgatókönyvekhez.


● Erős folyamatstabilitás

A 8 hüvelykes kristályok kiváló 4H politípusú konzisztenciával, stabil felületi formájúak és nagy ismételhetőségűek; a 12 hüvelykes szilícium-karbid kristálynövekedési technológia a nagy tömeggyártás megvalósíthatóságával végzett ellenőrzést.


● Alacsony kristályhiba-arány

A hőmérséklet, a nyomás és a teljesítmény pontos szabályozása révén a kristályhibák hatékonyan csökkenthetők a szabványoknak megfelelő kulcsmutatókkal – EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² és TED=1054 ea/cm². Minden hibajelző megfelel a magas minőségű kristályminőségi követelményeknek, jelentősen javítva a rúdhozamot.


● Szabályozható működési költségek

A hasonló termékek közül a legalacsonyabb az energiafogyasztása. Az alapelemek (például a hőszigetelő pajzsok) hosszú, 6-12 hónapos csereciklussal rendelkeznek, csökkentve az átfogó üzemeltetési költségeket.


● Plug-and-Play kényelem

Testreszabott receptúra ​​és folyamatcsomagok a berendezés jellemzői alapján, hosszú távú és több tételes gyártás során ellenőrizve, lehetővé téve az azonnali gyártást a telepítés után.


● Biztonság és megbízhatóság

A potenciális biztonsági veszélyek kiküszöbölése érdekében speciális íves szikragátló kialakítást alkalmaz; a valós idejű monitorozás és a korai figyelmeztető funkciók proaktívan elkerülik a működési kockázatokat.


● Kiváló vákuumteljesítmény

A végső vákuum- és nyomásemelkedési sebességmutatók meghaladják a nemzetközileg vezető szintet, tiszta környezetet biztosítva a kristálynövekedéshez.


● Intelligens üzemeltetés és karbantartás

Intuitív HMI interfészt tartalmaz átfogó adatrögzítéssel kombinálva, amely támogatja az opcionális távfelügyeleti funkciókat a hatékony és kényelmes termelésirányítás érdekében.


Az alapvető teljesítmény vizuális megjelenítése


A hőmérséklet-szabályozás pontossági görbéje

Temperature Control Accuracy Curve

A kristálynövesztő kemence hőmérséklet-szabályozási pontossága ≤ ±0,3°C; A hőmérsékleti görbe áttekintése



Nyomásszabályozás pontossági grafikonja


Pressure Control Accuracy Graph

A kristálynövesztő kemence nyomásszabályozási pontossága: 1,0 Torr, Nyomásszabályozási pontosság: 0,001 Torr


Teljesítménystabilitás Precízió


Stabilitás és konzisztencia a kemencék/tételek között: A teljesítmény stabilitási pontossága

Power Stability Precision

A kristálynövekedés állapotában a teljesítményszabályozás pontossága stabil kristálynövekedés során ±0,15%.


Veteksemicon products shop

Veteksemicon products shop



Hot Tags: Nagy méretű ellenállásfűtéses SiC kristály növesztő kemence
Kérdés küldése
Elérhetőségei
Ha kérdése van a szilícium-karbid bevonattal, a tantál-karbid bevonattal, a speciális grafittal vagy az árlistával kapcsolatban, kérjük, hagyja nekünk e-mail-címét, és 24 órán belül felvesszük Önnel a kapcsolatot.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept