Mi az a Wafer CMP polírozó szuszpenzió?

Wafer CMP polírozó zagyegy speciálisan kialakított folyékony anyag, amelyet a félvezetőgyártás CMP folyamatában használnak. Vízből, kémiai maratószerekből, csiszolóanyagokból és felületaktív anyagokból áll, lehetővé téve a kémiai maratást és a mechanikus polírozást.A hígtrágya alapvető célja, hogy pontosan szabályozza az anyag eltávolításának sebességét az ostya felületéről, miközben megakadályozza a károsodást vagy a túlzott anyageltávolítást.

1. Kémiai összetétel és funkció

A Wafer CMP Polishing Slurry fő összetevői a következők:

• Csiszolószemcsék: Általános csiszolóanyagok, mint például a szilícium-dioxid (SiO2) vagy az alumínium-oxid (Al2O3). Ezek a részecskék segítenek eltávolítani az ostya felületének egyenetlen részeit.
• Kémiai maratószerek: például hidrogén-fluorsav (HF) vagy hidrogén-peroxid (H2O2), amelyek felgyorsítják az ostya felületi anyagának maratását.
• Felületaktív anyagok: Ezek elősegítik a zagy egyenletes eloszlását, és javítják az ostya felületével való érintkezési hatékonyságát.
• pH-szabályozók és egyéb adalékok: A hígtrágya pH-értékének beállítására szolgál az optimális teljesítmény biztosítása érdekében bizonyos körülmények között.

2. Működési elv

A Wafer CMP Polishing Slurry működési elve egyesíti a kémiai maratást és a mechanikai kopást. Először is, a kémiai maratószerek feloldják az anyagot az ostya felületén, lágyítják az egyenetlen területeket. Ezután a zagyban lévő csiszolószemcsék mechanikai súrlódás révén eltávolítják az oldott részeket. A csiszolóanyagok szemcseméretének és koncentrációjának beállításával az eltávolítási sebesség pontosan szabályozható. Ez a kettős hatás rendkívül sík és sima ostyafelületet eredményez.

A Wafer CMP polírozó szuszpenzió alkalmazásai

Félvezető gyártás

CAz MP döntő lépés a félvezetőgyártásban. Ahogy a chip technológia fejlődik a kisebb csomópontok és a nagyobb sűrűség felé, a lapka felületének síkosságára vonatkozó követelmények egyre szigorúbbak. A Wafer CMP Polishing Slurry lehetővé teszi az eltávolítási sebesség és a felület simaságának pontos szabályozását, ami létfontosságú a nagy pontosságú forgácsgyártáshoz.

Például amikor a 10 nm-es vagy kisebb folyamatcsomópontokon forgácsot állítanak elő, a Wafer CMP polírozó szuszpenzió minősége közvetlenül befolyásolja a végtermék minőségét és hozamát. Ahhoz, hogy megfeleljen a bonyolultabb szerkezeteknek, a szuszpenziónak eltérően kell működnie különböző anyagok, például réz, titán és alumínium polírozása során.

Litográfiai rétegek síkosítása

A fotolitográfia jelentőségének növekedésével a félvezetőgyártásban a litográfiai réteg planarizálását a CMP eljárással érik el. A fotolitográfia pontosságának biztosítása érdekében az ostya felületének tökéletesen síknak kell lennie. Ebben az esetben a Wafer CMP Polishing Slurry nemcsak a felületi érdesség eltávolítását teszi lehetővé, hanem azt is biztosítja, hogy az ostya ne sérüljön meg, megkönnyítve a további folyamatok zökkenőmentes végrehajtását.

Fejlett csomagolási technológiák

A fejlett csomagolásban a Wafer CMP polírozó szuszpenzió is kulcsszerepet játszik. Az olyan technológiák térnyerésével, mint a 3D integrált áramkörök (3D-IC) és a kifújható lapkaszintű csomagolás (FOWLP), az ostya felületének síkosságára vonatkozó követelmények még szigorúbbá váltak. A Wafer CMP Polishing Slurry fejlesztései lehetővé teszik ezen fejlett csomagolási technológiák hatékony előállítását, ami finomabb és hatékonyabb gyártási folyamatokat eredményez.

A Wafer CMP polírozó szuszpenzió fejlesztésének trendjei

1. Előrelépés a nagyobb pontosság felé

A félvezető technológia előrehaladtával a chipek mérete folyamatosan csökken, és a gyártáshoz szükséges precizitás egyre nagyobb igényeket támaszt. Következésképpen a Wafer CMP polírozó szuszpenziónak fejlődnie kell, hogy nagyobb pontosságot biztosítson. A gyártók olyan iszapokat fejlesztenek, amelyek pontosan szabályozzák az eltávolítási sebességet és a felület síkságát, amelyek elengedhetetlenek a 7 nm-es, 5 nm-es és még fejlettebb folyamatcsomópontokhoz.

2. Környezetvédelmi és fenntarthatósági fókusz

A környezetvédelmi előírások szigorodásával a hígtrágyagyártók is környezetbarátabb termékek kifejlesztésén dolgoznak. A káros vegyszerek használatának csökkentése, valamint a hígtrágyák újrafeldolgozhatóságának és biztonságának növelése a hígtrágya-kutatás és -fejlesztés kritikus céljává vált.

3. Az ostyaanyagok diverzifikálása

A különböző ostyaanyagok (például szilícium, réz, tantál és alumínium) különböző típusú CMP-iszapokat igényelnek. Mivel az új anyagokat folyamatosan alkalmazzák, a Wafer CMP polírozó szuszpenzió összetételét is módosítani kell és optimalizálni kell, hogy megfeleljen ezen anyagok speciális polírozási igényeinek. Különösen a high-k metal gate (HKMG) és a 3D NAND flash memória gyártásánál válik egyre fontosabbá az új anyagokhoz szabott iszapok fejlesztése.