CVD TAC bevont hárompetál vezetőgyűrű

A szilícium -karbid egykristályos szubsztrát anyag egyfajta kristályanyag, amely a széles sávos félvezető anyaghoz tartozik. A nagy feszültség ellenállás, a magas hőmérséklet-ellenállás, a magas frekvenciájú, az alacsony veszteségek stb. Előnye. Ez alapvető anyag a nagy teljesítményű elektronikus elektronikus eszközök és a mikrohullámú rádiófrekvenciás eszközök előkészítéséhez. Jelenleg a SIC kristályok termesztésének fő módszerei a fizikai gőz transzport (PVT módszer), a magas hőmérsékletű kémiai gőzlerakódás (HTCVD módszer), a folyadékfázisú módszer stb.

A fizikai gőz szállítás (PVT) módszer egy jól bevált technika, amely rendkívül alkalmas nagy méretű ipari termelésre. Ebben a folyamatban egy SIC magkristályt a tégely tetején helyeznek el, míg a SIC por, amely nyersanyagként szolgál, a tégely aljára helyezkedik el. A magas hőmérsékleten és az alacsony nyomás mellett zárt környezetben a SIC por szublimálódik. A hőmérsékleti gradiens és a koncentrációs különbség alapján a szublimált fajok felfelé mozognak a vetőmagkristály közelében lévő régió felé. A túltelített állapot elérése után átkristályosítás történik, lehetővé téve a megnövekedett SIC kristályok méretének és specifikus kristálytípusának pontos ellenőrzését.

A CVD TAC bevont három - sziromvezető gyűrű több kritikus funkciót kínál. Elsősorban javítja a folyadékmechanikát azáltal, hogy irányítja a gázáramot, biztosítva, hogy a kristálynövekedési terület egységes légkörnek legyen kitéve. Ezenkívül hatékonyan eloszlatja a hőt a SIC kristály növekedési folyamat során. A megfelelő hőmérsékleti gradiens fenntartásával optimalizálja a SIC kristályok növekedési körülményeit, és enyhíti az egyenetlen hőmérsékleti eloszlás által okozott kristályhibák kockázatát.