SIC bevont tömítőgyűrű az epitaxishoz

Ⅰ. Mi az a SIC bevonatú pecsétgyűrű?

A SIC bevonatú tömítésgyűrű (szilícium -karbid bevont tömítésgyűrű) egy precíziós tömítőelem, amelyet magas hőmérsékletű, erősen korrozív félvezető -folyamatkörnyezetre terveztek. Magja a kémiai gőzlerakódás (CVD) vagy a fizikai gőzlerakódás (PVD) folyamaton, a grafit vagy a szén kompozit anyag szubsztrát felületén, egyenletesen borítva egy nagy, szilícium-karbid (SIC) bevonat rétegével, a szubsztrát mechanikai szilárdságának kialakulásával és a nagy teljesítményű lágyító tulajdonságok bevonásával.  

Ⅱ. Termékösszetétel és alaptechnika  

1. Szubsztrát anyag:

Grafit vagy szén-szén kompozit anyag: Az alapanyagnak a magas hőállóságának előnye (képes ellenállni a 2000 ℃ -nél) és az alacsony hőtágulási együtthatónak, ezáltal biztosítva a méret stabilitását szélsőséges körülmények között, például a magas hőmérsékleten.  

Pontossági megmunkálási felépítés: A precíziós gyűrűs kialakítást tökéletesen adaptálhatjuk a félvezető berendezés üregéhez, biztosítva ezzel a tömítőfelület laposságát és a jó légkört.  

2. Funkcionális bevonat:  

Magas tisztaságú SIC bevonat (tisztaság ≥99,99%): A kócok vastagsága általában 10-50 μm, a CVD folyamaton keresztül, hogy sűrű, nem porózus felületi szerkezetet képezzen, így a tömítőgyűrű felületének kiváló kémiai inertitása és mechanikai tulajdonságai.

Ⅲ. A SIC bevonatú tömítőgyűrű alapvető fizikai tulajdonságai és előnyei az epitaxishoz

A Vetekchemicon SIC-bevonatú tömítőgyűrűi ideálisak félvezető epitaxia folyamatokhoz, kiváló teljesítményük miatt szélsőséges körülmények között. Az alábbiakban bemutatjuk a termék sajátos fizikai tulajdonságait:

Iv. Alapvető alkalmazások félvezető epitaxia feldolgozásában  

A SIC bevonatú tömítőgyűrűt az epitaxiához főként MOCVD -ben (fém szerves kémiai gőzlerakódás) és MBE -ben (molekuláris sugár epitaxiában) és más folyamatberendezésekben használják, a specifikus funkciók között szerepel:  

1. félvezető berendezés reakció kamra légszűrő védelme

A SIC-bevonatú tömítőgyűrűk biztosítják, hogy a felületi kamrával (például karima, alaptengely) az interfész dimenziós toleranciája (általában ± 0,01 mm-en belül) a gyűrű szerkezetének testreszabásával a lehető legkisebb legyen. 

Ugyanakkor a tömítőgyűrűt a CNC szerszámgépek segítségével precíznek kell megmunkálni, hogy az érintkezési felület teljes kerülete körül egyenletes illeszkedjen, kiküszöbölve a mikroszkopikus réseket. Ez ténylegesen megakadályozza a folyamatgázok szivárgását (például H₂, NH₃), biztosítja az epitaxiális réteg növekedési környezetének tisztaságát és javítja az ostya hozamát.  

Másrészt, a jó gáz szorongásának megakadályozhatja a külső szennyező anyagok (O₂, H₂O) behatolását, ezáltal hatékonyan elkerülve az epitaxiális réteg hibáit (például diszlokációk, a szennyeződések egyenetlen doppingja).  

2. Magas hőmérsékletű dinamikus tömítő tartó  

A szubsztrát-bevonatú szinergikus anti-deformáció elve elfogadása: A grafit szubsztrát alacsony hőtágulási együtthatója (CTE ≈ 4,5 × 10-⁶/° C) nagyon kicsi, és rendkívül magas hőmérsékleten (＞ 1000 ℃) A tőzsdei fémlemezek száma csak 1/5. A SIC bevonat ultra-magas keménységével (HV2500 vagy annál) kombinálva hatékonyan ellenáll a karcolásnak a tömítési felületen, amelyet a részecskék mechanikai rezgése vagy hatása okoz, és fenntartja a mikroszkopikus síkosságot.

V. Karbantartási ajánlások

1.A hirtelen meghibásodás elkerülése érdekében rendszeresen ellenőrizze a tömítőfelület kopását (negyedéves optikai mikroszkóp ellenőrzés).  

2. Használjon speciális tisztítószereket (például vízmentes etanolt) a lerakódások eltávolításához, tiltsa meg a mechanikus őrlést a SIC bevonat károsodásának megakadályozása érdekében.