SIC bevonatú mély UV LED Susceptor

A SIC bevonattal ellátott mély UV LED -es Susceptor az alapvető csapágykomponensMOCVD (fém szerves kémiai gőzlerakódás) berendezés- A Susceptor közvetlenül befolyásolja a mély UV -LED -es epitaxiális növekedés egységességét, vastagságának szabályozását és anyagminőségét, különösen az alumínium -nitrid (ALN) epitaxiális réteg növekedésében, nagy alumíniumtartalommal, a Susceptor tervezése és teljesítménye döntő jelentőségű.

A SIC bevonatú mély UV LED -es Susceptor kifejezetten a mély UV LED -epitaxiához optimalizálva van, és pontosan a termikus, mechanikai és kémiai környezeti jellemzők alapján történik, hogy megfeleljenek a szigorú folyamatigényeknek.

A Vetek Semiconductor fejlett feldolgozási technológiát alkalmaz a Susceptor egyenletes hőeloszlásának biztosítására az üzemi hőmérsékleti tartományon belül, elkerülve az epitaxiális réteg nem egyenletes növekedését, amelyet a hőmérsékleti gradiens okoz. A precíziós feldolgozás szabályozza a felületi érdességet, minimalizálja a részecskék szennyeződését és javítja az ostya felületének termikus vezetőképességének hatékonyságát.

A Vetek Semiconductor az SGL grafitot használja az anyagként, és a felületet kezelikCVD SIC bevonat, amely hosszú ideig képes ellenállni az NH3 -nak, a HCL -nek és a magas hőmérsékleten. A Vetek Semiconductor SIC -vel bevont mély UV LED -es Susceptor megegyezik az ALN/GaN epitaxiális ostyák termikus tágulási együtthatójával, csökkentve az ostya deflingját vagy repedését, amelyet a folyamat során termikus stressz okoz.

A legfontosabb, hogy a Vetek Semiconductor SIC -vel bevont mély UV LED -es Susceptor tökéletesen alkalmazkodik a mainstream MOCVD berendezésekhez (beleértve a VEECO K465I, EPIK 700, Aixtron Crius stb.). Támogatja az ostya méretének (2 ~ 8 hüvelyk), a ostya nyerőgépének kialakításának, a folyamat hőmérsékletének és egyéb követelményeinek testreszabott szolgáltatásait.

Alkalmazási forgatókönyvek:

● Mély UV LED előkészítés: Az eszközök epitaxiális folyamatára alkalmazható a 260 nm alatti sávban (UV-C fertőtlenítés, sterilizálás és egyéb mezők).

● Nitrid félvezető epitaxia: Félvezető anyagok, például gallium -nitrid (GaN) és alumínium -nitrid (ALN) epitaxiális előállításához használják.

● Kutatási szintű epitaxiális kísérletek: Mély UV -epitaxia és új anyagfejlesztési kísérletek az egyetemeken és a kutatóintézetekben.

Egy erős műszaki csapat támogatásával a Vetek Semiconductor képes fejlesztőket fejleszteni egyedi specifikációkkal és funkciókkal az ügyfelek igényeinek megfelelően, támogatni a konkrét termelési folyamatokat, és hosszú távú szolgáltatásokat nyújt.

A CVD SIC bevonófilm SEM adatai:

A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

VeTek SemiconductorSIC bevonatú mély UV LED Susceptor termékboltok: