Termékek
SiC bevonatú szuszceptor
  • SiC bevonatú szuszceptorSiC bevonatú szuszceptor

SiC bevonatú szuszceptor

A Vetek Semiconductor a CVD SiC bevonat és a CVD TaC bevonat kutatására, fejlesztésére és iparosítására összpontosít. Példaként a SiC bevonatú szuszceptort tekintve a termék nagymértékben megmunkált nagy pontosságú, sűrű CVD SIC bevonattal, magas hőmérséklettel és erős korrózióállósággal. Várjuk érdeklődését tőlünk.

Biztos lehet benne, hogy SiC bevonatú szuszceptort vásárol gyárunkból. A CVD SiC bevonat gyártójaként a VeTek Semiconductor nagy tisztaságú grafitból és SiC bevonatú szuszceptorokat szeretne kínálni Önnek (5 ppm alatt). Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.


A Vetek Semiconductornál technológiai kutatásra, fejlesztésre és gyártásra szakosodunk, és fejlett termékeket kínálunk az ipar számára. Fő termékcsaládunk CVD SiC bevonat + nagy tisztaságú grafit, SiC bevonatú szuszceptor, félvezető kvarc, CVD TaC bevonat + nagy tisztaságú grafit, merev filc és egyéb anyagok.

Az egyik zászlóshajó termékünk a SiC Coating Susceptor, amelyet innovatív technológiával fejlesztettek ki, hogy megfeleljen az epitaxiális lapkagyártás szigorú követelményeinek. Az epitaxiális lapkáknak szűk hullámhossz-eloszlást és alacsony felületi hibaszintet kell mutatniuk, így SiC bevonat szuszceptorunk elengedhetetlen összetevője e döntő paraméterek elérésében.

SiC bevonatú szuszceptorunk előnyei:


✔ Alapanyagvédelem: A CVD SiC bevonat védőrétegként működik az epitaxiális folyamat során, hatékonyan védve az alapanyagot az eróziótól és a külső környezet okozta károsodásoktól. Ez a védelmi intézkedés nagymértékben meghosszabbítja a berendezés élettartamát.

✔ Kiváló hővezető képesség: CVD SiC bevonatunk kiemelkedő hővezető képességgel rendelkezik, hatékonyan továbbítja a hőt az alapanyagról a bevonat felületére. Ez javítja a hőkezelés hatékonyságát az epitaxia során, és optimális működési hőmérsékletet biztosít a berendezés számára.

✔ Jobb filmminőség: A CVD SiC bevonat lapos és egyenletes felületet biztosít, ideális alapot teremtve a film növekedéséhez. Csökkenti a rácshibákból eredő hibákat, javítja az epitaxiális film kristályosságát és minőségét, végső soron pedig javítja annak teljesítményét és megbízhatóságát.


Válassza a Vetek Semiconductor SiC Coating Susceptor-t epitaxiális lapkagyártási igényeihez, és élvezze a fokozott védelmet, a kiváló hővezető képességet és a jobb filmminőséget. Bízzon a VeTek Semiconductor innovatív megoldásaiban, hogy sikereket érjen el a félvezetőiparban.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályszerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
CVD SiC sűrűség 3,21 g/cm³
CVD SiC bevonat Keménység 2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret 2~10μm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség 300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5×10-6K-1

VeTekSemi SiC Coating Susceptor gyártóüzemek:

SiC Coating Susceptor Production shops

Hot Tags: SiC bevonatú szuszceptor
Kérdés küldése
Elérhetőségei
Ha kérdése van a szilícium-karbid bevonattal, a tantál-karbid bevonattal, a speciális grafittal vagy az árlistával kapcsolatban, kérjük, hagyja nekünk e-mail-címét, és 24 órán belül felvesszük Önnel a kapcsolatot.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás