Termékek
SiC bevonatú szuszceptor
  • SiC bevonatú szuszceptorSiC bevonatú szuszceptor

SiC bevonatú szuszceptor

A Vetek Semiconductor a CVD SiC bevonat és a CVD TaC bevonat kutatására, fejlesztésére és iparosítására összpontosít. Példaként a SiC bevonatú szuszceptort tekintve a termék nagymértékben megmunkált nagy pontosságú, sűrű CVD SIC bevonattal, magas hőmérséklettel és erős korrózióállósággal. Várjuk érdeklődését tőlünk.

Biztos lehet benne, hogy SiC bevonatú szuszceptort vásárol gyárunkból. A CVD SiC bevonat gyártójaként a VeTek Semiconductor nagy tisztaságú grafitból és SiC bevonatú szuszceptorokat szeretne kínálni Önnek (5 ppm alatt). Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.


A Vetek Semiconductornál technológiai kutatásra, fejlesztésre és gyártásra szakosodunk, és fejlett termékeket kínálunk az ipar számára. Fő termékcsaládunk CVD SiC bevonat + nagy tisztaságú grafit, SiC bevonatú szuszceptor, félvezető kvarc, CVD TaC bevonat + nagy tisztaságú grafit, merev filc és egyéb anyagok.

Az egyik zászlóshajó termékünk a SiC Coating Susceptor, amelyet innovatív technológiával fejlesztettek ki, hogy megfeleljen az epitaxiális lapkagyártás szigorú követelményeinek. Az epitaxiális lapkáknak szűk hullámhossz-eloszlást és alacsony felületi hibaszintet kell mutatniuk, így SiC bevonat szuszceptorunk elengedhetetlen összetevője e döntő paraméterek elérésében.

SiC bevonatú szuszceptorunk előnyei:


✔ Alapanyagvédelem: A CVD SiC bevonat védőrétegként működik az epitaxiális folyamat során, hatékonyan védve az alapanyagot az eróziótól és a külső környezet okozta károsodásoktól. Ez a védelmi intézkedés nagymértékben meghosszabbítja a berendezés élettartamát.

✔ Kiváló hővezető képesség: CVD SiC bevonatunk kiemelkedő hővezető képességgel rendelkezik, hatékonyan továbbítja a hőt az alapanyagról a bevonat felületére. Ez javítja a hőkezelés hatékonyságát az epitaxia során, és optimális működési hőmérsékletet biztosít a berendezés számára.

✔ Jobb filmminőség: A CVD SiC bevonat lapos és egyenletes felületet biztosít, ideális alapot teremtve a film növekedéséhez. Csökkenti a rácshibákból eredő hibákat, javítja az epitaxiális film kristályosságát és minőségét, végső soron pedig javítja annak teljesítményét és megbízhatóságát.


Válassza a Vetek Semiconductor SiC Coating Susceptor-t epitaxiális lapkagyártási igényeihez, és élvezze a fokozott védelmet, a kiváló hővezető képességet és a jobb filmminőséget. Bízzon a VeTek Semiconductor innovatív megoldásaiban, hogy sikereket érjen el a félvezetőiparban.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályszerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
CVD SiC sűrűség 3,21 g/cm³
CVD SiC bevonat Keménység 2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret 2~10μm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség 300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5×10-6K-1

VeTekSemi SiC Coating Susceptor gyártóüzemek:

SiC Coating Susceptor Production shops

Hot Tags: SiC bevonatú szuszceptor
Kérdés küldése
Elérhetőségei
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat