CVD SIC bevonó hordó -érzékeny

Az epitaxia növekedése egy kristályfilm (egykristályréteg) növekedésének folyamata egyetlen kristály szubsztráton (szubsztrát). Ezt az egyetlen kristályfilmet epilajernek hívják. Amikor az eprilaját és a szubsztrátot ugyanabból az anyagból készítik, azt homoepitaxiális növekedésnek nevezzük; Amikor különböző anyagokból készülnek, heteroepitaxiális növekedésnek nevezik.

Az epitaxiális reakció kamra szerkezete szerint kétféle típus létezik: vízszintes és függőleges. A függőleges epitaxiális kemence érzelme folyamatosan forog a működés közben, tehát jó egységessége és nagy termelési térfogata van, és a mainstream epitaxiális növekedési megoldássá vált. És a Vetek Semiconductor a SIC bevonatú grafit hordó -érzelmi szakértője az EPI számára.

Az epitaxiális növekedési berendezésekben, például a MOCVD -ben és a HVPE -ben a SIC bevonatú grafit hordó -érzelmeket használják az ostya rögzítésére, hogy biztosítsák, hogy a növekedési folyamat során stabil maradjon. Az ostyát a hordó típusú susceptorra helyezik. A termelési folyamat folytatódásával a Susceptor folyamatosan forog, hogy az ostya egyenletesen melegítse, míg az ostya felülete a reakciógázáramlásnak van kitéve, végül az egységes epitaxiális növekedést elérve.

CVD SIC bevonóhordó típusú susceptor vázlat

Az epitaxiális növekedési kemence magas hőmérsékletű környezet, korrozív gázokkal tele. Egy ilyen durva környezet leküzdése érdekében a Vetek Semiconductor egy réteg SIC bevonatot adott a grafithordó -érzékenységhez a CVD módszerrel, ezáltal SIC bevonattal ellátott grafit hordószövet -érzelmeket kapva

Szerkezeti jellemzők:

●  Egységes hőmérsékleti eloszlás: A hordó alakú szerkezet egyenletesebben eloszthatja a hőt, és elkerülheti a ostya feszültségét vagy deformációját a helyi túlmelegedés vagy hűtés miatt.

●  Csökkentse a légáram zavarát: A hordó alakú susceptor kialakítása optimalizálhatja a légáramlás eloszlását a reakciókamrában, lehetővé téve, hogy a gáz simán folyjon az ostya felületén, ami elősegíti a lapos és egységes epitaxiális réteg előállítását.

●  Forgási mechanizmus: A hordó alakú érzékenység forgási mechanizmusa javítja az epitaxiális réteg vastagságkonzisztenciáját és anyagi tulajdonságait.

●  Nagyszabású termelés: A hordó alakú susceptor fenntarthatja szerkezeti stabilitását, miközben nagy ostyákat, például 200 mm-es vagy 300 mm-es ostyákat hordoz, ami nagy méretű tömegtermeléshez alkalmas.

A Vetek Semiconductor CVD SIC bevonóhordó típusú Susceptor nagy tisztaságú grafitból és CVD SIC bevonatokból áll, amelyek lehetővé teszik a Susceptor számára, hogy hosszú ideig dolgozzon egy korrozív gázkörnyezetben, és jó hővezető és stabil mechanikai támogatással rendelkezik. Győződjön meg arról, hogy az ostya egyenletesen melegszik, és pontos epitaxiális növekedést érjen el.

A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai

A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályszerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 VICKERS keménység （500G terhelés bel
Szemcseméret	2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPA RT 4-Pont
Young modulusa	430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Hővezető képesség	300w · m-1· K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5 × 10-6K-1

Vetek félvezető CVD SIC bevonat hordó típus