Termékek
SiC bevonatú Epi receptor
  • SiC bevonatú Epi receptorSiC bevonatú Epi receptor
  • SiC bevonatú Epi receptorSiC bevonatú Epi receptor

SiC bevonatú Epi receptor

A szilícium-karbid és tantál-karbid bevonatok vezető hazai gyártójaként a VeTek Semiconductor képes precíziós megmunkálást és egyenletes bevonatot biztosítani a SiC Coated Epi Susceptorhoz, hatékonyan szabályozva a bevonat és a termék tisztaságát 5 ppm alatt. A termék élettartama hasonló az SGL élettartamához. Üdvözöljük érdeklődni tőlünk.

Biztos lehet benne, hogy a gyárunkból vásárolhat SIC bevonatú EPI Susceptorot.


A Vetek Semiconductor SIC bevonatú EPI Susceptor az epitaxiális hordó, amely a félvezető epitaxiális növekedési folyamathoz speciális eszköz, sok előnye:


LPE SI EPI Susceptor Set

● Hatékony termelési kapacitás: A VeTek Semiconductor SiC bevonatú Epi Susceptor több lapkát is képes befogadni, lehetővé téve több lapka egyidejű epitaxiális növekedését. Ez a hatékony termelési kapacitás nagymértékben javíthatja a termelés hatékonyságát, és csökkentheti a gyártási ciklusokat és a költségeket.

● Optimalizált hőmérsékleti szabályozás: A SiC bevonatú Epi Susceptor fejlett hőmérséklet-szabályozó rendszerrel van felszerelve a kívánt növekedési hőmérséklet pontos szabályozására és fenntartására. A stabil hőmérsékletszabályozás elősegíti az egyenletes epitaxiális réteg növekedését és javítja az epitaxiális réteg minőségét és konzisztenciáját.

● Egyenletes légköreloszlás: A SiC bevonatú Epi Susceptor egyenletes légköreloszlást biztosít a növekedés során, biztosítva, hogy minden ostya azonos légköri feltételeknek legyen kitéve. Ez segít elkerülni az ostyák közötti növekedési különbségeket, és javítja az epitaxiális réteg egyenletességét.

● Hatékony szennyeződés -szabályozás: A SIC bevonatú EPI -susceptor kialakítása segít csökkenteni a szennyeződések bevezetését és diffúzióját. Jó tömítést és légköri szabályozást biztosíthat, csökkentheti a szennyeződések hatását az epitaxiális réteg minőségére, és ezáltal javíthatja az eszközök teljesítményét és megbízhatóságát.

● Rugalmas folyamatfejlesztés: Az EPI Susceptor rugalmas folyamatfejlesztési képességekkel rendelkezik, amelyek lehetővé teszik a növekedési paraméterek gyors beállítását és optimalizálását. Ez lehetővé teszi a kutatók és a mérnökök számára, hogy gyors folyamatfejlesztést és optimalizálást végezzenek a különböző alkalmazások és követelmények epitaxiális növekedési igényeinek kielégítésére.


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályszerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
SIC bevonat sűrűsége 3,21 g/cm³
CVD SIC bevonat keménysége 2500 VICKERS keménység (500G terhelés bel
szemcseméret 2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPA RT 4-Pont
Young's Modulus 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető képesség 300w · m-1· K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTek SemiconductorSiC bevonatú Epi receptorGyártóüzlet

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor Production Shop

A félvezető chipek epitaxiás ipari láncának áttekintése:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Hot Tags: Így bevont EPI tandíj
Kérdés küldése
Elérhetőségei
Ha kérdése van a szilícium-karbid bevonattal, a tantál-karbid bevonattal, a speciális grafittal vagy az árlistával kapcsolatban, kérjük, hagyja nekünk e-mail-címét, és 24 órán belül felvesszük Önnel a kapcsolatot.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept