Termékek
SiC bevonatú Epi receptor
  • SiC bevonatú Epi receptorSiC bevonatú Epi receptor
  • SiC bevonatú Epi receptorSiC bevonatú Epi receptor

SiC bevonatú Epi receptor

A szilícium-karbid és tantál-karbid bevonatok vezető hazai gyártójaként a VeTek Semiconductor képes precíziós megmunkálást és egyenletes bevonatot biztosítani a SiC Coated Epi Susceptorhoz, hatékonyan szabályozva a bevonat és a termék tisztaságát 5 ppm alatt. A termék élettartama hasonló az SGL élettartamához. Üdvözöljük érdeklődni tőlünk.

Biztos lehet benne, hogy a gyárunkból vásárolhat SIC bevonatú EPI Susceptorot.


A Vetek Semiconductor SIC bevonatú EPI Susceptor az epitaxiális hordó, amely a félvezető epitaxiális növekedési folyamathoz speciális eszköz, sok előnye:


LPE SI EPI Susceptor Set

● Hatékony termelési kapacitás: A VeTek Semiconductor SiC bevonatú Epi Susceptor több lapkát is képes befogadni, lehetővé téve több lapka egyidejű epitaxiális növekedését. Ez a hatékony termelési kapacitás nagymértékben javíthatja a termelés hatékonyságát, és csökkentheti a gyártási ciklusokat és a költségeket.

● Optimalizált hőmérsékleti szabályozás: A SiC bevonatú Epi Susceptor fejlett hőmérséklet-szabályozó rendszerrel van felszerelve a kívánt növekedési hőmérséklet pontos szabályozására és fenntartására. A stabil hőmérsékletszabályozás elősegíti az egyenletes epitaxiális réteg növekedését és javítja az epitaxiális réteg minőségét és konzisztenciáját.

● Egyenletes légköreloszlás: A SiC bevonatú Epi Susceptor egyenletes légköreloszlást biztosít a növekedés során, biztosítva, hogy minden ostya azonos légköri feltételeknek legyen kitéve. Ez segít elkerülni az ostyák közötti növekedési különbségeket, és javítja az epitaxiális réteg egyenletességét.

● Hatékony szennyeződés -szabályozás: A SIC bevonatú EPI -susceptor kialakítása segít csökkenteni a szennyeződések bevezetését és diffúzióját. Jó tömítést és légköri szabályozást biztosíthat, csökkentheti a szennyeződések hatását az epitaxiális réteg minőségére, és ezáltal javíthatja az eszközök teljesítményét és megbízhatóságát.

● Rugalmas folyamatfejlesztés: Az EPI Susceptor rugalmas folyamatfejlesztési képességekkel rendelkezik, amelyek lehetővé teszik a növekedési paraméterek gyors beállítását és optimalizálását. Ez lehetővé teszi a kutatók és a mérnökök számára, hogy gyors folyamatfejlesztést és optimalizálást végezzenek a különböző alkalmazások és követelmények epitaxiális növekedési igényeinek kielégítésére.


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályszerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
SIC bevonat sűrűsége 3,21 g/cm³
CVD SIC bevonat keménysége 2500 VICKERS keménység (500G terhelés bel
szemcseméret 2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPA RT 4-Pont
Young's Modulus 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető képesség 300w · m-1· K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTek SemiconductorSiC bevonatú Epi receptorGyártóüzlet

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor Production Shop

A félvezető chipek epitaxiás ipari láncának áttekintése:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Hot Tags: Így bevont EPI tandíj
Kérdés küldése
Elérhetőségei
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás