Termékek
MOCVD SiC bevonatú szuszceptor
  • MOCVD SiC bevonatú szuszceptorMOCVD SiC bevonatú szuszceptor

MOCVD SiC bevonatú szuszceptor

A VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor egy precíziós tervezésű hordozó megoldás, amelyet kifejezetten a LED-ek és az összetett félvezetők epitaxiális növekedéséhez fejlesztettek ki. Kivételes termikus egyenletességet és kémiai inertséget mutat összetett MOCVD környezetben. A VETEK szigorú CVD-lerakási folyamatának kiaknázásával elkötelezettek vagyunk az ostya növekedési konzisztenciájának javítása és a magkomponensek élettartamának meghosszabbítása mellett, stabil és megbízható teljesítménybiztosítást nyújtva a félvezetőgyártás minden egyes tételéhez.

Műszaki paraméterek


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan
Tipikus érték
Kristályszerkezet
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientáció
Sűrűség
3,21 g/cm³
Keménység
2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret
2~10μm
Kémiai tisztaság
99,99995%
Hőkapacitás
640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet
2700 ℃
Hajlító szilárdság
415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus
430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség
300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SIC FILM KRISTÁLYSZERKEZET


A termék meghatározása és összetétele


A VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor egy prémium lapka-hordozó alkatrész, amelyet kifejezetten harmadik generációs félvezetők, például GaN és SiC epitaxiális feldolgozására terveztek. Ez a termék két nagy teljesítményű anyag kiváló fizikai tulajdonságait egyesíti:


Nagy tisztaságú grafit szubsztrát: Izosztatikus préselési technológiával gyártva, hogy az alapanyag kivételes szerkezeti integritást, nagy sűrűséget és hőkezelési stabilitást biztosítson.

CVD SiC bevonat: Sűrű, feszültségmentes szilícium-karbid (SiC) védőréteget növeszt a grafit felületére a fejlett kémiai gőzleválasztás (CVD) technológia révén.


Miért a VETEK az Ön hozamgarancia?


Maximális pontosság a termikus egyenletesség szabályozásában: A hagyományos hordozókkal ellentétben a VETEK szuszceptorok nagymértékben szinkronizált hőátadást érnek el a teljes felületen a bevonat vastagságának és hőellenállásának nanométeres precíziós szabályozásával. Ez a kifinomult hőkezelés hatékonyan minimalizálja a hullámhossz szórást (STD) az ostya felületén, jelentősen javítva az egylapka minőségét és a teljes tétel konzisztenciáját.

Hosszú távú védelem részecskeszennyeződés nélkül: Az erősen korrozív gázokat tartalmazó MOCVD reakciókamrákban a közönséges grafit talapzatok hajlamosak a részecskék pelyhesedésére. A VETEK CVD SiC bevonata kivételes kémiai tehetetlenséggel rendelkezik, áthatolhatatlan pajzsként működik, amely lezárja a grafit mikropórusokat. Ez biztosítja a szubsztrátum szennyeződéseinek teljes elkülönítését, megakadályozva a GaN vagy SiC epitaxiális rétegek szennyeződését.

Kivételes fáradtságállóság és élettartam:A VETEK szabadalmaztatott felületkezelési eljárásának köszönhetően SiC bevonatunk optimalizált hőtágulási illeszkedést ér el a grafit szubsztrátummal. Még szélsőséges hőmérsékletek közötti nagyfrekvenciás hőciklus mellett is a bevonat kiváló tapadást tart fenn anélkül, hogy hámlás vagy mikrorepedések keletkeznének. Ez jelentősen csökkenti a pótalkatrészek karbantartásának gyakoriságát és csökkenti a teljes birtoklási költséget.


A műhelyünk

Our workshop

Hot Tags: MOCVD SiC bevonatú szuszceptor
Kérdés küldése
Elérhetőségei
Ha kérdése van a szilícium-karbid bevonattal, a tantál-karbid bevonattal, a speciális grafittal vagy az árlistával kapcsolatban, kérjük, hagyja nekünk e-mail-címét, és 24 órán belül felvesszük Önnel a kapcsolatot.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
Elutasít Elfogadás