Termékek
MOCVD SiC bevonatú szuszceptor
  • MOCVD SiC bevonatú szuszceptorMOCVD SiC bevonatú szuszceptor

MOCVD SiC bevonatú szuszceptor

A VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor egy precíziós tervezésű hordozó megoldás, amelyet kifejezetten a LED-ek és az összetett félvezetők epitaxiális növekedéséhez fejlesztettek ki. Kivételes termikus egyenletességet és kémiai inertséget mutat összetett MOCVD környezetben. A VETEK szigorú CVD-lerakási folyamatának kiaknázásával elkötelezettek vagyunk az ostya növekedési konzisztenciájának javítása és a magkomponensek élettartamának meghosszabbítása mellett, stabil és megbízható teljesítménybiztosítást nyújtva a félvezetőgyártás minden egyes tételéhez.

Műszaki paraméterek


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan
Tipikus érték
Kristályszerkezet
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientáció
Sűrűség
3,21 g/cm³
Keménység
2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret
2~10μm
Kémiai tisztaság
99,99995%
Hőkapacitás
640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet
2700 ℃
Hajlító szilárdság
415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus
430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség
300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SIC FILM KRISTÁLYSZERKEZET


A termék meghatározása és összetétele


A VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor egy prémium lapka-hordozó alkatrész, amelyet kifejezetten harmadik generációs félvezetők, például GaN és SiC epitaxiális feldolgozására terveztek. Ez a termék két nagy teljesítményű anyag kiváló fizikai tulajdonságait egyesíti:


Nagy tisztaságú grafit szubsztrát: Izosztatikus préselési technológiával gyártva, hogy az alapanyag kivételes szerkezeti integritást, nagy sűrűséget és hőkezelési stabilitást biztosítson.

CVD SiC bevonat: Sűrű, feszültségmentes szilícium-karbid (SiC) védőréteget növeszt a grafit felületére a fejlett kémiai gőzleválasztás (CVD) technológia révén.


Miért a VETEK az Ön hozamgarancia?


Maximális pontosság a termikus egyenletesség szabályozásában: A hagyományos hordozókkal ellentétben a VETEK szuszceptorok nagymértékben szinkronizált hőátadást érnek el a teljes felületen a bevonat vastagságának és hőellenállásának nanométeres precíziós szabályozásával. Ez a kifinomult hőkezelés hatékonyan minimalizálja a hullámhossz szórást (STD) az ostya felületén, jelentősen javítva az egylapka minőségét és a teljes tétel konzisztenciáját.

Hosszú távú védelem részecskeszennyeződés nélkül: Az erősen korrozív gázokat tartalmazó MOCVD reakciókamrákban a közönséges grafit talapzatok hajlamosak a részecskék pelyhesedésére. A VETEK CVD SiC bevonata kivételes kémiai tehetetlenséggel rendelkezik, áthatolhatatlan pajzsként működik, amely lezárja a grafit mikropórusokat. Ez biztosítja a szubsztrátum szennyeződéseinek teljes elkülönítését, megakadályozva a GaN vagy SiC epitaxiális rétegek szennyeződését.

Kivételes fáradtságállóság és élettartam:A VETEK szabadalmaztatott felületkezelési eljárásának köszönhetően SiC bevonatunk optimalizált hőtágulási illeszkedést ér el a grafit szubsztrátummal. Még szélsőséges hőmérsékletek közötti nagyfrekvenciás hőciklus mellett is a bevonat kiváló tapadást tart fenn anélkül, hogy hámlás vagy mikrorepedések keletkeznének. Ez jelentősen csökkenti a pótalkatrészek karbantartásának gyakoriságát és csökkenti a teljes birtoklási költséget.


A műhelyünk

Our workshop

Hot Tags: MOCVD SiC bevonatú szuszceptor
Kérdés küldése
Elérhetőségei
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat