A Vetek Semiconductor testreszabott magas tisztaságú SIC ostyahajót kínál. Magas tisztaságú szilícium -karbidból készült, résekkel rendelkezik, amelyek a ostya helyén tartják, megakadályozva, hogy a feldolgozás során csúszjon. A CVD SIC bevonat szükség esetén is rendelkezésre áll. Professzionális és erős félvezető gyártóként és beszállítójaként a Vetek Semiconductor magas tisztaságú SIC -hajó -hordozója versenyképes és magas színvonalú. A Vetek Semiconductor várja, hogy Kínában hosszú távú partnere legyen.
A VeTekSemi nagy tisztaságú SiC ostyatartó fontos csapágyalkatrész, amelyet izzítókemencékben, diffúziós kemencékben és egyéb berendezésekben használnak a félvezetőgyártási folyamatban. A nagy tisztaságú SiC ostyatartó általában nagy tisztaságú szilícium-karbid anyagból készül, és főként a következő részekből áll:
• Csónakot támogató testület: konzolhoz hasonló szerkezet, kifejezetten szállításra szolgálszilícium ostyákvagy más félvezető anyagok.
• Támogatószerkezet: Támogatási struktúrájának kialakítása lehetővé teszi, hogy magas hőmérsékleten nehéz terheléseket viseljen, és a magas hőmérsékletű kezelés során nem deformálódik vagy nem sérül meg.
szilícium -karbid anyag
Fizikai tulajdonságaiÚjrakristályosított szilícium-karbid:
Ingatlan
Tipikus érték
Munkahőmérséklet (° C)
1600 ° C (oxigénnel), 1700 ° C (csökkentő környezet)
SiC tartalom
> 99,96%
Ingyenes Si tartalom
<0,1%
Ömlesztett sűrűség
2,60-2,70 g/cm3
Látszólagos porozitás
< 16%
Kompressziós szilárdság
> 600 MPa
Hideg hajlítószilárdság
80-90 MPa (20 ° C)
Forró hajlítási szilárdság
90-100 MPa (1400 ° C)
Hőtágulás 1500°C-on
4.70*10-6/° C
Hővezetőképesség @1200°C
23 w/m • k
Rugalmassági modulus
240 GPA
Hőütésállóság
Rendkívül jó
Ha a gyártási folyamat követelményei magasabbak,CVD SIC bevonatelvégezhető a nagy tisztaságú SiC ostyahajón, hogy a tisztaság elérje a 99,99995%-ot, tovább javítva a magas hőmérsékleti ellenállást.
A CVD SIC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:
Ingatlan
Tipikus érték
Kristályszerkezet
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség
3,21 g/cm³
Keménység
2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret
2 ~ 10 mm
Kémiai tisztaság
99,99995%
Hőkapacitás
640 J · kg-1· K-1
Szublimációs hőmérséklet
2700 ℃
Hajlító szilárdság
415 MPa RT 4 pontos
Young modulusa
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Hővezető képesség
300W·m-1· K-1
Hőtágulás (CTE)
4,5 × 10-6K-1
A magas hőmérsékletű kezelés során a magas tisztaságú SIC ostyacsónak hordozója lehetővé teszi a szilícium ostya egyenletes melegítését, hogy elkerüljék a helyi túlmelegedést. Ezenkívül a szilícium -karbid anyag magas hőmérsékleti ellenállása lehetővé teszi, hogy a szerkezeti stabilitást 1200 ° C hőmérsékleten vagy még magasabb hőmérsékleten tartsa fenn.
A diffúziós vagy lágyítási folyamat során a konzolos lapát és a nagy tisztaságú SIC ostyacsónak hordozó együtt működik. Akonzolos lapátlassan betolja a szilícium ostyát hordozó nagy tisztaságú SiC ostyatartót a kemencekamrába, és megállítja a feldolgozásra kijelölt helyen.
A magas tisztaságú SIC ostyacsónak -hordozó fenntartja a kapcsolatot a szilícium ostyával, és a hőkezelési folyamat során egy meghatározott helyzetben van rögzítve, míg a konzolos lapát segít a teljes szerkezet megfelelő helyzetben tartásában, miközben biztosítja a hőmérsékleti egységességet.
A magas tisztaságú SIC ostyacsónak hordozója és a konzolos lapát együtt működik a magas hőmérsékleti folyamat pontosságának és stabilitásának biztosítása érdekében.
A VeTek Semiconductor testreszabott, nagy tisztaságú SiC ostyatartót biztosít az Ön igényeinek megfelelően. Várom érdeklődését.
VeTek SemiconductorMagas tisztaságú SIC ostya hajó hordozó üzletek:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat