A Vetek Semiconductor sok MOCVD berendezés fogyóeszközének szállítójává vált, kiváló feldolgozási képességeivel. Az Aixtron G5+ mennyezeti összetevő az egyik legújabb termékünk, amely majdnem megegyezik az eredeti Aixtron komponenssel, és jó visszajelzést kapott az ügyfelektől. Ha ilyen termékekre van szüksége, kérjük, vegye fel a kapcsolatot a Vetek Semiconductor -szal!
A gallium -nitrid (GAN) egy széles sávos, félvezető anyag, kiváló fizikai tulajdonságokkal, például nagy elektronmobilitással, nagy bontási elektromos mezővel és nagy telítettségű elektronsebességgel. Széles körben használják optoelektronikus eszközökben (például fénykibocsátó diódák, lézerdiódák) és nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű elektronikus eszközökben (például teljesítményerősítőkben). A szilícium (SI) egy általánosan használt félvezető szubsztrát anyag, amelynek előnyei vannak az alacsony költségek, a nagy méret és a kompatibilitás, a meglévő szilícium-alapú integrált áramköri folyamatokkal. Ezért a GaN epitaxiális rétegek növekedése az SI -n nagyon értékes kutatási téma. Az Aixtron G5+ sorozat az egyik legforróbb SI-alapú GaN epitaxiális növekedési berendezés, amelynek számos fontos eleme van, és a mennyezeti alkatrész az egyik fontos elem.
Az Aixtron G5+ mennyezeti komponens SGL grafitból készül. A fő funkció a hőmérséklet szabályozása és az ostya legkisebb hőáramának biztosítása.
●Hőmérsékleti egységesség -szabályozás:
Az Aixtron G5+ mennyezeti komponens segít elérni az egységes hőmérsékleti eloszlást a reakció kamrában. A félvezető epitaxiális növekedési folyamatban a hőmérsékleti egységesség elengedhetetlen a magas színvonalú epitaxiális rétegek növekedéséhez. Gondoskodik arról, hogy ugyanazt a felszíni hőmérsékletet minden ostyán vagy műholdas alkatrészen megszerezhessék, ezáltal biztosítva az epitaxiális anyag növekedési ütemének és minőségének konzisztenciáját minden helyen, ezáltal javítva a folyamat hozamát.
● Optimalizálja a növekedési környezetet:
A reakció kamra részeként az Aixtron G5+ mennyezeti komponens stabil növekedési környezetet képez más komponensekkel együtt. Csökkentheti a hőveszteséget, és stabilabbá teheti a reakciókamra hőmérsékletét, ami elősegíti az epitaxiális növekedés körülményeinek pontos szabályozását, valamint az epitaxiális réteg hibáinak csökkentését és a hőmérsékleti ingadozások által okozott teljesítmény nem egységességét.
Az Aixtron G5+ mennyezeti alkatrész az iparág egyik mainstream terméke, amelyet a Vetek Semiconductor indított. A Vetek Semiconductor kiválasztása azt jelenti, hogy egy olyan társasággal együttműködnek, amely elkötelezte magát a szilícium -karbid bevonási innováció határainak megnyomásával. A minőség, a teljesítmény és az ügyfelek elégedettségének nagy hangsúlyozása mellett olyan termékeket szállítunk, amelyek nemcsak megfelelnek, hanem meghaladják a félvezető ipar szigorú igényeit. Segítsünk a nagyobb hatékonyság, megbízhatóság és siker elérésében a fejlett Aixtron G5+ mennyezeti alkatrész -megoldásokkal.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat