CVD SiC bevonatú grafit szuszceptor ostyahordozóhoz
A VETEK CVD SiC bevonatú grafit szuszceptor az ostyahordozóhoz egy nagy teljesítményű ostyát támogató komponens, amelyet félvezető epitaxiás folyamatokhoz terveztek. A termék nagy tisztaságú grafitot használ szubsztrátumként, és egységes CVD szilícium-karbid (SiC) réteggel van bevonva, amely kiváló hőstabilitást, vegyszerállóságot és részecskekontrollt biztosít. Kritikus grafit szuszceptor komponensként közvetlenül támogatja az ostyákat a reakciókamrában, és segít fenntartani az egyenletes hőmérséklet-eloszlást és a stabil epitaxiális növekedési feltételeket.
Nagy tisztaságú anyag:A félvezető minőségű grafit anyag és a sűrű SiC bevonatszerkezet minimalizálja a szennyeződés kockázatát és javítja a CVD SiC bevonatú grafit szuszceptor megbízhatóságát.
Kiváló termikus egyenletesség:Az optimalizált grafitszerkezet és a SiC bevonat stabil hőátadást és egyenletes szelethőmérséklet szabályozást biztosít.
Kiváló vegyszerállóság:A sűrű SiC bevonat erős ellenállást biztosít a technológiai gázokkal és a korrozív környezettel szemben.
Hosszú élettartam:A nagy keménység és kopásállóság növeli a tartósságot magas hőmérsékletű epitaxiás körülmények között.
Alacsony részecsketermelés:A sűrű CVD SiC felület csökkenti a részecskék felszabadulását és javítja az ostyafolyamat megbízhatóságát.
Testreszabott tervezési lehetőség:Különböző méretben, felépítésben és konfigurációban kapható a berendezés követelményeinek megfelelően.
2. Műszaki előírások
Tétel
Tipikus érték
Szubsztrát anyag
Nagy tisztaságú grafit
Bevonóanyag
CVD szilícium-karbid (SiC)
SiC tisztaság
≥99,999%
Bevonat vastagsága
100 ± 20 μm (testreszabható)
Bevonatvastagság Egyenletesség
Szabályozva 10 μm-en belül a tételek között
A CVD SiC bevonat sűrűsége
3,21 g/cm³
Hővezetőképesség
300 W/m·K
Hőtágulási együttható
4,5 × 10⁻⁶/K
3. Alkalmazások
SiC epitaxiás folyamat:A grafit szuszceptort ostyahordozóként használják a SiC epitaxiás berendezésekben, támogatva a SiC szubsztrátokat a magas hőmérsékletű epitaxiális növekedés során.
MOCVD epitaxia:A VETEK grafit szuszceptorok alkalmasak MOCVD, LED epitaxia, GaN epitaxia, szilícium epitaxia és más olyan félvezető gyártási eljárásokhoz, amelyek kiváló termikus egyenletességet és kémiai stabilitást igényelnek.
Félvezető gyártó berendezések:Kompatibilis különféle epitaxia platformokkal, beleértve az LPE vízszintes kemencéket, az Aixtront, a NuFlare-t és a kapcsolódó félvezető berendezéseket.
4. Miért válassza a VETEK-et?
A VETEK testreszabott CVD SiC bevonatú grafit szuszceptor megoldásokat kínál, amelyek integrálják a grafittisztítást, a precíziós megmunkálást, a CVD bevonatot és az ellenőrzési képességeket. Félvezető minőségű grafit szuszceptor termékeink nagy tisztaságúak, egyenletes bevonatvastagsággal, kiváló hőteljesítménnyel és hosszú élettartammal rendelkeznek az igényes lapkahordozó alkalmazásokhoz.
Hot Tags: CVD SiC bevonatú grafit szuszceptor, grafit szuszceptor, SiC bevonatú grafit szuszceptor, félvezető epitaxiás szuszceptor, MOCVD grafit szuszceptor, SiC ostya hordozó, CVD SiC grafit szuszceptor
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat