Termékek
TAC bevonat tégely
  • TAC bevonat tégelyTAC bevonat tégely

TAC bevonat tégely

Professzionális TAC -bevonat -tégelyes szállítóként és gyártóként Kínában a Vetek Semiconductor TAC bevonó -tégelye pótolhatatlan szerepet játszik a félvezetők egykristályos növekedési folyamatában, kiváló hővezető képességgel, kiemelkedő kémiai stabilitással és fokozott korrózióállósággal. Üdvözöljük további kérdéseit.

VeTek Semiconductor'sCVD TAC bevonattal ellátott kereszteződésekÁltalában a következő kulcsszerepet játssza a PVT módszer SIC egykristály növekedési folyamatában:


A PVT módszer arra utal, hogy egy SIC magkristályt a TAC bevonatú tégely tetejére helyez, és a SIC port nyersanyagként helyezkedik el a tégely aljára. A magas hőmérsékleten és alacsony nyomáson lévő zárt környezetben a SIC por szublimálódik, és a hőmérsékleti gradiens és a koncentráció különbsége alatt aSicporátkerül a vetőmag kristály közelébe, és átkristályosítás után eléri a túltelített állapotot. Ezért a PVT módszer képes elérni a SIC kristály méretének és a specifikus kristály formájának szabályozható növekedését.


● A kristálynövekedés termikus stabilitása

A Vetek Semiconductor TAC bevonatú keresztesítői kiváló hőstabilitással rendelkeznek (2200 ℃ alatt stabil maradhatnak), ami elősegíti a szerkezeti integritásuk fenntartását, még az egykristálynövekedéshez szükséges rendkívül magas hőmérsékleten is. Ez a fizikai tulajdonság lehetővé teszi a SIC bevonatú grafit tégelyének pontos szabályozását a kristálynövekedés folyamatában, ami nagyon egyenletes és hibamentes kristályokat eredményez.


● Kiváló kémiai gát

A TAC bevonattal ellátott keresztesítői kombinálják a tantalum karbid bevonatot egy nagy tisztaságú grafit -tégelygel, hogy kiválóan ellenálljanak a korrozív vegyi anyagok és az olvadt anyagok széles skálájának, amelyet általában a SIC egyetlen kristálynövekedés során tapasztaltak. Ez a tulajdonság kritikus fontosságú a minimális hibákkal rendelkező kiváló minőségű kristályok eléréséhez.


● A rezgések csillapítása stabil növekedési környezethez

A TAC -bevonatú tégely kiváló csillapító tulajdonságai minimalizálják a rezgéseket és a termikus sokkot a grafit tégelyben, tovább hozzájárulva a stabil és ellenőrzött kristálynövekedési környezethez. Ezen potenciális beavatkozási források enyhítésével a TAC bevonat lehetővé teszi a nagyobb, egységesebb kristályok növekedését, csökkentett hibasűrűséggel, végül növelve az eszköz hozamát és javítva az eszköz teljesítményét.


● Kiváló hővezető képesség

A Vetekchemicon bevonatú keresztrecinusai kiváló hővezetőképességgel rendelkeznek, ami elősegíti a grafit tégelyt a hőt gyorsan és egyenletes átvitelében. Ez meghatározza a hőmérséklet pontos szabályozását a kristály növekedési folyamatában, minimalizálva a termikus gradiensek által okozott kristályhibákat.


Tantalum karbid (TAC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Fizikai tulajdonságaiTantalum karbid bevonat

A TAC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség
14.3 (g/cm³)
Specifikus emisszióképesség
0.3
Hőtágulási együttható
6.3*10-6/K
Keménység (HK)
2000 HK
Ellenállás
1 × 10-5Ohm*cm
Hőstabilitás
<2500 ℃
Grafit méretű változások
-10 ~ -20um
Bevonat vastagsága
≥20um tipikus érték (35um ± 10um)

Vetek félvezető gyártóüzletek

SiC Coating Graphite substrateTaC Coating Crucible testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment


Hot Tags: TAC bevonat tégely
Kérdés küldése
Elérhetőségei
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat