Termékek
TAC bevonat tégely
  • TAC bevonat tégelyTAC bevonat tégely

TAC bevonat tégely

Professzionális TAC -bevonat -tégelyes szállítóként és gyártóként Kínában a Vetek Semiconductor TAC bevonó -tégelye pótolhatatlan szerepet játszik a félvezetők egykristályos növekedési folyamatában, kiváló hővezető képességgel, kiemelkedő kémiai stabilitással és fokozott korrózióállósággal. Üdvözöljük további kérdéseit.

VeTek Semiconductor'sCVD TAC bevonattal ellátott kereszteződésekÁltalában a következő kulcsszerepet játssza a PVT módszer SIC egykristály növekedési folyamatában:


A PVT módszer arra utal, hogy egy SIC magkristályt a TAC bevonatú tégely tetejére helyez, és a SIC port nyersanyagként helyezkedik el a tégely aljára. A magas hőmérsékleten és alacsony nyomáson lévő zárt környezetben a SIC por szublimálódik, és a hőmérsékleti gradiens és a koncentráció különbsége alatt aSicporátkerül a vetőmag kristály közelébe, és átkristályosítás után eléri a túltelített állapotot. Ezért a PVT módszer képes elérni a SIC kristály méretének és a specifikus kristály formájának szabályozható növekedését.


● A kristálynövekedés termikus stabilitása

A Vetek Semiconductor TAC bevonatú keresztesítői kiváló hőstabilitással rendelkeznek (2200 ℃ alatt stabil maradhatnak), ami elősegíti a szerkezeti integritásuk fenntartását, még az egykristálynövekedéshez szükséges rendkívül magas hőmérsékleten is. Ez a fizikai tulajdonság lehetővé teszi a SIC bevonatú grafit tégelyének pontos szabályozását a kristálynövekedés folyamatában, ami nagyon egyenletes és hibamentes kristályokat eredményez.


● Kiváló kémiai gát

A TAC bevonattal ellátott keresztesítői kombinálják a tantalum karbid bevonatot egy nagy tisztaságú grafit -tégelygel, hogy kiválóan ellenálljanak a korrozív vegyi anyagok és az olvadt anyagok széles skálájának, amelyet általában a SIC egyetlen kristálynövekedés során tapasztaltak. Ez a tulajdonság kritikus fontosságú a minimális hibákkal rendelkező kiváló minőségű kristályok eléréséhez.


● A rezgések csillapítása stabil növekedési környezethez

A TAC -bevonatú tégely kiváló csillapító tulajdonságai minimalizálják a rezgéseket és a termikus sokkot a grafit tégelyben, tovább hozzájárulva a stabil és ellenőrzött kristálynövekedési környezethez. Ezen potenciális beavatkozási források enyhítésével a TAC bevonat lehetővé teszi a nagyobb, egységesebb kristályok növekedését, csökkentett hibasűrűséggel, végül növelve az eszköz hozamát és javítva az eszköz teljesítményét.


● Kiváló hővezető képesség

A Vetekchemicon bevonatú keresztrecinusai kiváló hővezetőképességgel rendelkeznek, ami elősegíti a grafit tégelyt a hőt gyorsan és egyenletes átvitelében. Ez meghatározza a hőmérséklet pontos szabályozását a kristály növekedési folyamatában, minimalizálva a termikus gradiensek által okozott kristályhibákat.


Tantalum karbid (TAC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Fizikai tulajdonságaiTantalum karbid bevonat

A TAC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség
14.3 (g/cm³)
Specifikus emisszióképesség
0.3
Hőtágulási együttható
6.3*10-6/K
Keménység (HK)
2000 HK
Ellenállás
1 × 10-5Ohm*cm
Hőstabilitás
<2500 ℃
Grafit méretű változások
-10 ~ -20um
Bevonat vastagsága
≥20um tipikus érték (35um ± 10um)

Vetek félvezető gyártóüzletek

SiC Coating Graphite substrateTaC Coating Crucible testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment


Hot Tags: TAC bevonat tégely
Kérdés küldése
Elérhetőségei
Ha kérdése van a szilícium-karbid bevonattal, a tantál-karbid bevonattal, a speciális grafittal vagy az árlistával kapcsolatban, kérjük, hagyja nekünk e-mail-címét, és 24 órán belül felvesszük Önnel a kapcsolatot.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept