Nagy tisztaságú SiC por a SiC kristálynövekedéshez

1. Főbb jellemzők

· Magas tisztasági szintek:A tisztasági képességek elérik a 99,9999%-ot (6N fokozat).

· Ultra alacsony fémes szennyeződések:Minimális fémnyomszennyeződés, optimalizálva a SiC kristálynövekedéshez.

· Teljes átláthatóság:Teljes GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) vizsgálati adatok állnak rendelkezésre minden tételhez.

· Stabil hőteljesítmény:Jól megjósolható és egyenletes szublimációs viselkedés a PVT növekedési futtatások során.

· Szabályozott részecskeméret-eloszlás:A granulometriát gondosan ellenőrizték az egyenletes csomagolási sűrűség fenntartása érdekében.

· Testreszabott formulák:Egyedi részecskeméretek és eloszlási görbék kérésre elérhetők.

· Félvezető minőségi szabvány:Szigorúan félvezető minőségű minőségirányítási rendszerek szerint gyártva.

2. Termékképek

3. Műszaki előírások

4. Alkalmazások

· PVT SiC kristálynövekedés:Vezetőképes és félig szigetelő SiC tömbök.

· Félvezető szubsztrátumok:Ostya szubsztrátum és epitaxiális feldolgozási alapanyag.

· Csúcskategóriás termikus alkatrészek:Fejlett kerámia alkatrészek és szuszceptor bevonatok.

· K+F alkalmazások:Új generációs teljesítményelektronikai kutatás és nagyfrekvenciás eszközök.

5. Miért válassza a VeTek Semiconductort?

· Szabadalmaztatott tisztítás:Fejlett tisztítási technikák, amelyek akár 6N tisztaságot biztosítanak az egykristály növekedéséhez.

· Szigorú minőségellenőrzés:Elkötelezett minőségbiztosítás szigorú félvezető-minőségű szennyeződés-ellenőrzéssel.

· Testreszabási rugalmasság:Rugalmas egyedi részecskeméretezés a különböző PVT kemencetégely specifikációkhoz.

· Stabil ellátási lánc:Megbízható ellátási kapacitás garantálja a stabil, hosszú távú tömegtermelés szállítását.

· Műszaki szakértelem:Teljes körű műszaki támogatás az Ön konkrét kristálynövekedési folyamataihoz szabva.