Nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) por

Főbb jellemzők
• A tisztaság elérheti a 99,9999%-ot – ez 6N

• A fémszennyeződéseket alacsony szinten tartják

• GDMS tesztadatok kérésre rendelkezésre állnak

• A szublimációs viselkedés kötegenként konzisztens marad

• Kisebb a szennyeződés kockázata a feldolgozás során

• A részecskeméret-eloszlás szabályozott

• Kérhet egyedi szemcseméretet is

• A minőség-ellenőrzés a félvezető-minőségű szabványokat követi

Részecskeméret tartomány:

Por tisztasága: 

Műszaki adatok:

Alkalmazások

• SiC Single Crystal Growth (PVT)

• Vezetőképes és félig szigetelő SiC szubsztrátok

• Félvezető anyagok

• Fejlett kerámia

• Kutatás és fejlesztés

Miért válassza a VeTek Semiconductort?

• Fejlett tisztítási technológia

• Félvezető minőségű minőségellenőrzés

• Testreszabott részecskeméret opciók

• Stabil és megbízható ellátás

• Technikai támogatás kristálynövekedési alkalmazásokhoz