Tantál-karbid bevonat

Magas hőmérsékleti ellenállásával, kémiai tehetetlenségével és kiváló teljesítményével a Vetek Semiconductor TAC bevonatú chuck -okat félvezető kemencékhez tervezték. Hisszük, hogy termékeink fejlett technológiát és minőségi termékmegoldásokat hozhatnak Önnek.

A Vetek Semiconductor TAC bevonócsője kulcseleme a szilícium -karbid egykristályok sikeres növekedésének. Magas hőmérsékleti ellenállásával, kémiai tehetetlenségével és kiváló teljesítményével, amely biztosítja a kiváló minőségű kristályok előállítását, következetes eredményekkel. Bízzon az innovatív megoldásainkban, hogy javítsa a PVT módszer SIC kristálynövekedési folyamatát, és kiváló eredményeket érjen el.

A TAC bevonatot jelenleg elsősorban olyan folyamatokban használják, mint például a szilícium-karbid-egy kristálynövekedés (PVT módszer), az epitaxiális lemez (beleértve a szilícium-karbid-epitaxiát, a LED-epitaxiát) stb. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnerünk lesz.

A SIC EPI Susceptoron lévő GAN létfontosságú szerepet játszik a félvezető feldolgozásában kiváló hővezető képessége, magas hőmérséklet -feldolgozási képessége és kémiai stabilitása révén, és biztosítja a GaN epitaxiális növekedési folyamat nagy hatékonyságát és anyagminőségét. A Vetek Semiconductor a SIC EPI Susceptor kínai szakmai gyártója, őszintén várjuk a további konzultációt.

A CVD TAC bevonathordozót elsősorban a félvezető gyártás epitaxiális folyamatára tervezték. A CVD TAC bevonathordozó ultra-magas olvadáspontja, kiváló korrózióállóság és kiemelkedő termikus stabilitás meghatározza ennek a terméknek a nélkülözhetetlenségét a félvezető epitaxiális folyamatban. Üdvözöljük további vizsgálatát.

A Vetek Semiconductor TAC bevonatú grafitszövetelője kémiai gőzlerakódási (CVD) módszert alkalmaz a tantalum karbid bevonat előállítására a grafit alkatrészek felületén. Ez a folyamat a legérettebb és a legjobb bevonat tulajdonságai. A TAC bevonatú grafit -susceptor meghosszabbíthatja a grafitkomponensek élettartamát, gátolhatja a grafit szennyeződések migrációját, és biztosíthatja az epitaxis minőségét. Várakozással várjuk a vizsgálatát.