hírek

A tantalum karbid (TAC) bevonatait széles körben használják a félvezető mezőben, elsősorban az epitaxiális növekedési reaktor komponensekhez, az egykristálynövekedés kulcskomponenseihez, a magas hőmérsékletű ipari alkatrészekhez, a MOCVD rendszerfűtőkhez és az ostyahordozókhoz. Kiváló nagy hőmérsékletű ellenállás és korrózióállóság javíthatja a berendezések tartósságát, a hozam és a kristály minőségét, csökkentheti az energiafelhasználást és javítja a stabilitást.

A SiC epitaxiális növekedési folyamat során a SiC bevonatú grafitszuszpenzió meghibásodhat. Ez a cikk szigorú elemzést végez a SiC bevonatú grafitszuszpenzió meghibásodási jelenségéről, amely főként két tényezőt foglal magában: a SiC epitaxiális gázhibát és a SiC bevonat meghibásodását.

Ez a cikk elsősorban a Molecular Beam Epitaxy eljárás és a fém-szerves kémiai gőzleválasztási technológiák megfelelő eljárási előnyeit és különbségeit tárgyalja.

A Vetek Semiconductor porózus tantalum -karbidja, mint a SIC kristálynövekedési anyag új generációja, számos kiváló termék tulajdonsággal rendelkezik, és kulcsszerepet játszik számos félvezető -feldolgozási technológiában.