hírek

A forró sajtó-szinterelés a fő módszer a nagy teljesítményű SIC kerámia előkészítésére. A forró sajtó szinterelés folyamata magában foglalja: a nagy tisztaságú SIC por kiválasztása, a nagy hőmérsékleten és a magas nyomás alatti sajtolás és öntés, majd a szinterelés. Az ezzel a módszerrel előállított SIC -kerámiáknak a nagy tisztaság és a nagy sűrűség előnyei vannak, és széles körben használják a lemezek és a hőkezelő berendezések őrlésére az ostya feldolgozásához.

A szilícium-karbid (SiC) kulcsfontosságú növekedési módszerei közé tartozik a PVT, a TSSG és a HTCVD, amelyek mindegyikének külön előnyei és kihívásai vannak. A szénalapú hőmező anyagok, mint például a szigetelőrendszerek, tégelyek, TaC bevonatok és a porózus grafit stabilitást, hővezető képességet és tisztaságot biztosítva fokozzák a kristálynövekedést, ami elengedhetetlen a SiC precíz gyártásához és alkalmazásához.

A SiC nagy keménységgel, hővezető képességgel és korrózióállósággal rendelkezik, így ideális a félvezetőgyártáshoz. A CVD SiC bevonat kémiai gőzleválasztással jön létre, amely magas hővezetőképességet, kémiai stabilitást és megfelelő rácsállandót biztosít az epitaxiális növekedéshez. Alacsony hőtágulása és nagy keménysége biztosítja a tartósságot és a pontosságot, így elengedhetetlen olyan alkalmazásokban, mint az ostyahordozók, előmelegítő gyűrűk stb. A VeTek Semiconductor egyedi SiC bevonatokra specializálódott különféle iparági igényekhez.

A szilícium-karbid (SIC) egy nagy pontosságú, félvezető anyag, amely kiváló tulajdonságairól ismert, mint a magas hőmérséklet-ellenállás, a korrózióállóság és a nagy mechanikai szilárdság. Több mint 200 kristályszerkezete van, a 3C-SIC az egyetlen köbös típus, amely kiváló természetes gömböket és sűrűsítést kínál más típusokhoz képest. A 3C-SIC kiemelkedik a nagy elektronmobilitás miatt, így ideális a MOSFET-ekhez a Power Electronics-ban. Ezenkívül nagy potenciált mutat a nanoelektronikában, a kék LED -ekben és az érzékelőkben.

A gyémánt, a potenciális negyedik generációs "végső félvezető" kivételes keménysége, hővezető képessége és elektromos tulajdonságai miatt egyre nagyobb figyelmet kap a félvezető hordozók körében. Míg a magas költségek és a gyártási kihívások korlátozzák a használatát, a CVD az előnyben részesített módszer. A doppingolás és a nagy területű kristálykihívások ellenére a gyémánt ígéretes.

A SIC és a GAN széles sávú félvezetők, amelyek előnyei vannak a szilíciummal szemben, mint például a magasabb bontási feszültség, a gyorsabb váltási sebesség és a kiváló hatékonyság. A SIC jobb a nagyfeszültségű, nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, mivel magasabb hővezetőképessége, míg a GAN kiválóan kiemelkedő alkalmazásokban kiemelkedik a kiváló elektronmobilitásnak köszönhetően.