Hír

A CVD TAC bevonat egy hordozón (grafiton) sűrű és tartós bevonat kialakítására szolgáló eljárás. Ez a módszer magában foglalja a TaC felhordását az aljzat felületére magas hőmérsékleten, ami kiváló hőstabilitású és vegyszerálló tantál-karbid (TaC) bevonatot eredményez.

Ahogy a 8 hüvelykes szilícium-karbid (SIC) folyamat érlelődik, a gyártók felgyorsítják a 6 hüvelykről 8 hüvelykre való eltolódást. A közelmúltban a Semiconductor és a Resonac bejelentette a 8 hüvelykes SIC produkció frissítéseit.

Ez a cikk bemutatja az olasz LPE cég újonnan tervezett PE1O8 melegfalú CVD reaktorának legújabb fejlesztéseit és azt a képességét, hogy egységes 4H-SiC epitaxiát végezzen 200 mm-es SiC-on.

Az erősáramú elektronikában, az optoelektronikában és más területeken a SiC anyagok iránti növekvő kereslet következtében a SiC egykristály növekedési technológia fejlesztése a tudományos és technológiai innováció kulcsterületévé válik. A szilícium-karbamid egykristály-növesztő berendezés magjaként a termikus mező tervezése továbbra is nagy figyelmet és mélyreható kutatást fog kapni.

A folyamatos technológiai fejlődés és a mélyreható mechanizmus kutatása révén a 3C-SIC heteroepitaxiális technológia várhatóan fontosabb szerepet játszik a félvezető iparban, és elősegíti a nagy hatékonyságú elektronikus eszközök fejlesztését.

Térbeli ALD, térben izolált atomréteg -lerakódás. Az ostya különböző pozíciók között mozog, és minden pozícióban különböző prekurzoroknak van kitéve. Az alábbi ábra összehasonlítja a hagyományos ALD és a térben elkülönített ALD -t.

A közelmúltban a Német Kutatóintézet, a Fraunhofer IISB áttörést hajtott végre a tantalum karbid bevonási technológia kutatásában és fejlesztésében, és kifejlesztett egy spray -bevonat -megoldást, amely rugalmasabb és környezetbarátabb, mint a CVD lerakódási megoldás, és kereskedelmet folytatott.

A gyors technológiai fejlődés korszakában a 3D nyomtatás, mint a fejlett gyártási technológia fontos képviselője, fokozatosan megváltoztatja a hagyományos gyártás arcát. A technológia folyamatos érettségével és a költségek csökkentésével a 3D nyomtatási technológia számos területen széles körű alkalmazási kilátásokat mutatott, mint például az űrrepülés, az autógyártás, az orvosi berendezések és az építészeti tervezés, és elősegítette ezen iparágak innovációját és fejlesztését.

Az egykristályos anyagok önmagukban nem felelnek meg a különféle félvezető eszközök növekvő előállításának igényeinek. 1959 végén egy vékony réteg egykristályos anyag növekedési technológiáját fejlesztették ki - az epitaxiális növekedést.

A szilícium-karbid az egyik ideális anyag a magas hőmérsékletű, magas frekvenciájú, nagy teljesítményű és nagyfeszültségű eszközök előállításához. A termelés hatékonyságának javítása és a költségek csökkentése érdekében a nagy méretű szilícium-karbid szubsztrátok előkészítése fontos fejlesztési irány.

A tengerentúli hírek szerint két forrás, június 24-én feltárta, hogy a Bydedance a Broadcom amerikai chip-tervező társasággal dolgozik egy fejlett mesterséges intelligencia (AI) számítástechnikai processzor kidolgozására, amely elősegíti a Bytedance megfelelő ellátását Kína közötti feszültségek közepette, a csúcskategóriás chipek számára. és az Egyesült Államok.

A SIC iparág vezető gyártójaként a Sanan Optoelectronics kapcsolódó dinamikája széles körű figyelmet kapott az iparban. A közelmúltban a Sanan Optoelectronics a legújabb fejlemények sorozatát közölte, amely magában foglalja a 8 hüvelykes átalakulást, az új szubsztrátgyár-termelést, az új vállalatok létrehozását, az állami támogatások és más szempontok.

A SIC és az ALN egykristályok növekedésében a fizikai gőz transzport (PVT) módszer alkalmazásával a kritikus komponensek, mint például a tégely, a vetőmag és a vezető gyűrű, létfontosságú szerepet játszanak. Amint azt a 2. ábrán ábrázolja, [1], a PVT -eljárás során a vetőmagkristály az alsó hőmérsékleti régióban van elhelyezve, míg a SIC nyersanyag magasabb hőmérsékleteknek van kitéve (2400 ℃ felett).

A szilícium -karbid szubsztrátok sok hibát tartalmaznak, és nem lehet közvetlenül feldolgozni. Egy specifikus egykristályos vékony filmet kell rájuk termeszteni egy epitaxiális folyamaton keresztül, hogy a chip -ostyákat készítsék. Ez a vékony film az epitaxiális réteg. Szinte az összes szilícium -karbid eszköz az epitaxiális anyagokra valósul meg. A kiváló minőségű szilícium-karbid homogén epitaxiális anyagok képezik a szilícium-karbid-eszközök fejlesztésének alapját. Az epitaxiális anyagok teljesítménye közvetlenül meghatározza a szilícium -karbid -eszközök teljesítményének megvalósulását.

A szilícium-karbid átalakítja a félvezető iparát az energia- és magas hőmérsékleti alkalmazásokhoz, átfogó tulajdonságaival, az epitaxiális szubsztrátoktól a védő bevonatokig, az elektromos járművekig és a megújuló energiarendszerekig.

Nagy tisztaság: A kémiai gőzleválasztással (CVD) növesztett szilícium epitaxiális réteg rendkívül nagy tisztaságú, jobb felületi síksággal és kisebb hibasűrűséggel rendelkezik, mint a hagyományos ostyák.