Hír

Ez a blog veszi: "Mi a szilícium -karbid kristálynövekedés?" Témaként, és a négy dimenzióból részletes elemzést nyújt: a szilícium -karbid kristálynövekedés elve, a SIC kristályszerkezete, a fizikai gőz transzport módszer (PVT) és a lépés áramlás növekedése az egykristály növekedéséhez.

Ez a blog "mi az epitaxiális folyamat?" Témaként, és részletes elemzést nyújt az epitaxiális folyamatok áttekintésének dimenzióiból, az epitaxia típusaiból, az EPI -folyamatot befolyásoló tényezőkből, az epitaxiális növekedési technikákból, az EPI növekedési módjaiból és az epitaxis növekedésének fontosságából.

A "Hogyan lehet elérni a magas színvonalú kristálynövekedést? - SIC kristálynövekedési kemence" témájával, ez a blog négy dimenzióból részletes elemzést készít: a szilícium -karbid kristályristályok növekedési kemence műszaki nehézségei és a növekvő magas színvonalú kristályok technikai nehézségei a szilícium -karbid kristálynövekedési kemencének szerkezete, a szilícium -karbid kristálynövekedési kemence szerkezete.

A világ négy legerősebb grafitgyártója: az SGL, a Toyo Tanso, a Tokai Carbon, a Mersen, valamint a megfelelő tipikus grafit- és alkalmazási területek.

A cikk leírja a szén filc kiváló fizikai tulajdonságait, a SIC bevonat megválasztásának konkrét okait, valamint a SIC bevonatának módszerét és alapelvet a szén -dioxid -filcen. Kifejezetten elemzi a D8 Advance röntgen diffraktométer (XRD) használatát a SIC bevonat-szén fázisösszetételének elemzésére.

A SIC egykristályok termesztésének fő módszerei: fizikai gőz transzport (PVT), magas hőmérsékletű kémiai gőzlerakódás (HTCVD) és magas hőmérsékletű oldat növekedése (HTSG).