Technika és megoldások

Kiválasztási útmutató

01-03 VETEK | A CVD SiC bevonat vastagságának egyenletességének és részecskeszabályozásának kulcsfontosságú mutatói
05

01-03 VETEK | A CVD SiC bevonat vastagságának egyenletességének és részecskeszabályozásának kulcsfontosságú mutatói

Az anyag kiválasztása után gyakran olyan számszerűsíthető mérőszámok határozzák meg a szerszám teljesítményét, mint például a vastagság egyenletessége, a részecskeszint és a tisztaság. Ez a cikk a CVD SiC bevonat kulcsfontosságú minőségi dimenzióit rendezi az elfogadás és a használat során, segítve ezzel a „specifikáció egyezik” helyett „a jelentést ellenőrizni lehet, és a kockázatot előre lehet látni”.
Mutass többet
01-02 VETEK | Hogyan válasszuk ki a SiC bevonatot, a TaC bevonatot vagy a szilárd szilícium-karbidot a folyamat körülményei szerint
06

01-02 VETEK | Hogyan válasszuk ki a SiC bevonatot, a TaC bevonatot vagy a szilárd szilícium-karbidot a folyamat körülményei szerint

Ez a cikk felvázolja a CVD SiC bevonat, a TaC bevonat és a szilárd szilícium-karbid alkalmazási határait és tipikus forgatókönyveit hőmérséklet, légkör és folyamattípus szerint, segítve az epitaxiás és maratási mérnököket a folyamatablakok gyors összehangolásában a kiválasztás során, és elkerülve az anyag-állapot eltéréséből adódó részecskék és élettartam kockázatait.
Mutass többet
01-01 VTEEK | Grafit szuszceptor kompatibilitás és 1:1 egyedi cseremegoldások
07

01-01 VTEEK | Grafit szuszceptor kompatibilitás és 1:1 egyedi cseremegoldások

Kompatibilitási és cseremegoldások Aixtron G10, Veeco, ASM szuszceptorokhoz és előmelegítő gyűrűkhöz. Támogatja az 1:1 arányú rajzalapú testreszabást, a szabványos alkatrészek gyors szállítását, az egyedi alkatrészek esetében 3–6 hétig, ellenőrzési jelentésekkel és mintaértékeléssel.
Mutass többet
01 A CVD SiC, TaC és szilárd SiC teljesítményhatárai az epitaxiás és maratási eljárásokban
08

01 A CVD SiC, TaC és szilárd SiC teljesítményhatárai az epitaxiás és maratási eljárásokban

A megfelelő CVD SiC, TaC bevonat vagy szilárd SiC kiválasztása közvetlenül meghatározza a részecskeszintet és az alkatrészek élettartamát az epitaxia/maratási vonalakon. Ez a cikk világos kiválasztási határokat tartalmaz hőmérséklet, légkör és folyamat szerint, a főbb berendezéscsere megoldásokkal és kulcsfontosságú mérőszámokkal párosítva, hogy segítsen gyors döntéseket hozni és csökkenteni a kockázatokat.
Mutass többet
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás