Technika és megoldások

Technika és megoldások

01 A CVD SiC, TaC és szilárd SiC teljesítményhatárai az epitaxiás és maratási eljárásokban
05

01 A CVD SiC, TaC és szilárd SiC teljesítményhatárai az epitaxiás és maratási eljárásokban

A megfelelő CVD SiC, TaC bevonat vagy szilárd SiC kiválasztása közvetlenül meghatározza a részecskeszintet és az alkatrészek élettartamát az epitaxia/maratási vonalakon. Ez a cikk világos kiválasztási határokat tartalmaz hőmérséklet, légkör és folyamat szerint, a főbb berendezéscsere megoldásokkal és kulcsfontosságú mérőszámokkal párosítva, hogy segítsen gyors döntéseket hozni és csökkenteni a kockázatokat.
Mutass többet
Vízvezérelt lézertechnológia: Precíziós mikrolyuk megmunkálás SiC szubsztrátumokhoz
06

Vízvezérelt lézertechnológia: Precíziós mikrolyuk megmunkálás SiC szubsztrátumokhoz

Fedezze fel, hogy a VeTek vízvezérelt lézertechnológiája hogyan biztosít egységes Φ0,15 mm-es átmenő furatokat 2 mm-es SiC hordozókon, kúposság nélkül, minimális HAZ-val és nagy hozammal a félvezető alkalmazásokhoz.
Mutass többet
VETEK-AMAT üreges emelőcsap megoldás: nagy tisztaságú grafit szubsztrátum CVD SiC bevonattal
07

VETEK-AMAT üreges emelőcsap megoldás: nagy tisztaságú grafit szubsztrátum CVD SiC bevonattal

A félvezető berendezések üreges emelőcsapjai esetében a legnagyobb kihívást jelentő műszaki probléma nem a külső felület bevonása, hanem az üreges szerkezet belső falán a stabil és egységes CVD bevonat elérése. A belső fal bevonatának egyenletességének ellenőrzésétől a belső furat tisztaságának biztosításáig minden folyamatlépés közvetlenül befolyásolja az ostya hozamát. Ez a cikk elemzi az üreges emelőcsapos belső falbevonat fő kihívásait és a legfontosabb műszaki lehetőségeket.
Mutass többet
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
ElutasítElfogadás