Termékek

A Vetek Semiconductor porózus SIC kerámia chuckot kínál, amelyet széles körben használnak az ostya -feldolgozási technológiában, az átviteli és egyéb linkekhez, amelyek alkalmassá, fertőző, javításhoz, polírozáshoz és egyéb kapcsolatokhoz, lézerfeldolgozáshoz alkalmasak. Porózus SIC kerámia chuckunk rendkívül erős vákuum-adszorpcióval rendelkezik, magas laposság és magas tisztaság megfelel a legtöbb félvezető ipar igényeinek.

A Vetek Semiconductor a szigetelő ostya szolicon profi kínai gyártója. A szigetelő ostyán lévő szilícium fontos félvezető szubsztrát anyag, és kiváló termékjellemzői miatt kulcsszerepet játszik a nagy teljesítményű, alacsony teljesítményű, nagy integrációs és RF alkalmazásokban. Várom a konzultációt.

A TAC bevonatot jelenleg elsősorban olyan folyamatokban használják, mint például a szilícium-karbid-egy kristálynövekedés (PVT módszer), az epitaxiális lemez (beleértve a szilícium-karbid-epitaxiát, a LED-epitaxiát) stb. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnerünk lesz.

A félvezető gyártási folyamatának alapvető fogyóeszközként a porózus grafit pótolhatatlan szerepet játszik több linkben, mint például a kristálynövekedés, a dopping és az izzítás. A porózus grafit professzionális gyártójaként a Vetek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy kiváló minőségű porózus grafit termékeket biztosítson versenyképes áron, üdvözölje további vizsgálatát.

A SIC EPI Susceptoron lévő GAN létfontosságú szerepet játszik a félvezető feldolgozásában kiváló hővezető képessége, magas hőmérséklet -feldolgozási képessége és kémiai stabilitása révén, és biztosítja a GaN epitaxiális növekedési folyamat nagy hatékonyságát és anyagminőségét. A Vetek Semiconductor a SIC EPI Susceptor kínai szakmai gyártója, őszintén várjuk a további konzultációt.

A CVD TAC bevonathordozót elsősorban a félvezető gyártás epitaxiális folyamatára tervezték. A CVD TAC bevonathordozó ultra-magas olvadáspontja, kiváló korrózióállóság és kiemelkedő termikus stabilitás meghatározza ennek a terméknek a nélkülözhetetlenségét a félvezető epitaxiális folyamatban. Üdvözöljük további vizsgálatát.