Termékek

A szilícium-alapú GaN epitaxiális susceptor a GaN epitaxiális termeléshez szükséges alapkomponens. A Vetekchemon szilícium-alapú GaN Epitaxial Susceptor kifejezetten a szilícium-alapú GaN epitaxiális reaktorrendszerhez tervezték, olyan előnyökkel, mint a nagy tisztaság, a kiváló magas hőmérséklet-ellenállás és a korrózióállóság. Üdvözöljük további konzultációját.

A VeTek Semiconductor Kína vezető félvezető berendezések gyártója, amely a 8 hüvelykes Halfmoon Part for LPE Reactor kutatás-fejlesztésére és gyártására összpontosít. Az évek során gazdag tapasztalattal rendelkezünk, különösen a SiC bevonatanyagok terén, és elkötelezettek vagyunk amellett, hogy hatékony megoldásokat kínáljunk az LPE epitaxiális reaktorokhoz. A 8 hüvelykes Halfmoon Part for LPE Reactor kiváló teljesítménnyel és kompatibilitással rendelkezik, és az epitaxiális gyártás nélkülözhetetlen kulcseleme. Üdvözöljük kérdését, ha többet szeretne megtudni termékeinkről.

Az LPE PE3061S 6"-os ostyákhoz készült SiC bevonatú palacsinta-szuszceptor a 6"-os ostyák epitaxiális ostyafeldolgozásának egyik fő összetevője. A VeTek Semiconductor jelenleg az LPE PE3061S 6 hüvelykes lapkákhoz készült SiC bevonatú palacsinta-szuceptor vezető gyártója és szállítója Kínában. Az általa kínált SiC bevonatú palacsinta-szuceptor kiváló tulajdonságokkal rendelkezik, mint például a magas korrózióállóság, jó hővezető képesség és jó egyenletesség. Várom érdeklődését.

A Vetek Semiconductor a SIC bevonatú grafit alkatrészek vezető gyártója és szállítója Kínában. Az LPE PE2061 -ek SIC bevonatú támogatása alkalmas LPE szilícium -epitaxiális reaktorra. Mivel a hordóbázis alja az LPE PE2061-ek SIC bevonatú támogatása ellenáll a magas hőmérsékleteknek az 1600 Celsius fokos hőmérsékleten, ezáltal elérve az ultra hosszú termék élettartamát és csökkentve az ügyfelek költségeit. Várakozással és további kommunikációra vár.

A Vetek Semiconductor évek óta mélyen foglalkozik a SIC bevonási termékekkel, és a Kínában az LPE PE2061 -ek SIC bevonatú felső lemezének vezető gyártójává és szállítójává vált. Az általunk nyújtott LPE PE2061 -ek SIC bevonatú felső lemezét LPE szilícium -epitaxiális reaktorokhoz tervezték, és a tetején a hordó alapjával együtt helyezkednek el. Ez a SIC bevont felső lemez az LPE PE2061-hez kiváló tulajdonságokkal rendelkezik, mint például a nagy tisztaság, a kiváló hőstabilitás és az egységesség, ami elősegíti a kiváló minőségű epitaxiális rétegek növekedését. Nem számít, milyen termékre van szüksége, várjuk a kérdését.

Kína egyik vezető ostyasuszceptor-gyártó üzemeként a VeTek Semiconductor folyamatos fejlődést ért el az ostyasuszceptor termékek terén, és számos epitaxiális lapkagyártó számára az első választás lett. A VeTek Semiconductor által biztosított SiC bevonatú hordó szuszceptor LPE PE2061S-hez az LPE PE2061S 4 hüvelykes lapkákhoz készült. A szuszceptor tartós szilícium-karbid bevonattal rendelkezik, amely javítja a teljesítményt és a tartósságot az LPE (liquid phase epitaxy) folyamat során. Üdvözöljük érdeklődését, reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk.