A szilícium-karbid átalakítja a félvezető iparát az energia- és magas hőmérsékleti alkalmazásokhoz, átfogó tulajdonságaival, az epitaxiális szubsztrátoktól a védő bevonatokig, az elektromos járművekig és a megújuló energiarendszerekig.
Nagy tisztaság: A kémiai gőzleválasztással (CVD) növesztett szilícium epitaxiális réteg rendkívül nagy tisztaságú, jobb felületi síksággal és kisebb hibasűrűséggel rendelkezik, mint a hagyományos ostyák.
A szilárd szilícium -karbid (SIC) egyedi fizikai tulajdonságai miatt a félvezető gyártás egyik legfontosabb anyagává vált. Az alábbiakban elemezzük annak előnyeit és gyakorlati értékét, annak fizikai tulajdonságai és a félvezető berendezések (például ostyahordozók, zuhanyfejek, maratási fókuszgyűrűk stb.) Félén történő felhasználása alapján.
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.
Adatvédelmi szabályzat