Hír

Ipari hírek

A CVD-SiC evolúciója a vékonyréteg-bevonatoktól az ömlesztett anyagokig10 2026-04

A CVD-SiC evolúciója a vékonyréteg-bevonatoktól az ömlesztett anyagokig

A nagy tisztaságú anyagok elengedhetetlenek a félvezetőgyártáshoz. Ezek a folyamatok rendkívüli hőhatást és korrozív vegyszereket foglalnak magukban. A CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) biztosítja a szükséges stabilitást és szilárdságot. Nagy tisztasága és sűrűsége miatt ma már elsődleges választás a fejlett berendezések alkatrészei számára.
A láthatatlan szűk keresztmetszet a szilícium-karbid növekedésében: Miért váltja fel a hagyományos port a 7N tömeges CVD SiC nyersanyag?07 2026-04

A láthatatlan szűk keresztmetszet a szilícium-karbid növekedésében: Miért váltja fel a hagyományos port a 7N tömeges CVD SiC nyersanyag?

A szilícium-karbid (SiC) félvezetők világában a legtöbb reflektorfény a 8 hüvelykes epitaxiális reaktorokra vagy az ostya polírozásának bonyolultságára világít. Ha azonban visszavezetjük az ellátási láncot a kezdetekig – a fizikai gőzszállító (PVT) kemencében – csendben zajlik le egy alapvető "anyagforradalom".
PZT piezoelektromos ostyák: Nagy teljesítményű megoldások a következő generációs MEMS-ekhez20 2026-03

PZT piezoelektromos ostyák: Nagy teljesítményű megoldások a következő generációs MEMS-ekhez

A gyors MEMS (Micro-Electromechanical Systems) evolúció korszakában a megfelelő piezoelektromos anyag kiválasztása az eszköz teljesítményét érintő döntés. A PZT (ólomcirkonát-titanát) vékonyrétegű ostyák elsőbbséget élveznek az olyan alternatívákkal szemben, mint az AlN (alumínium-nitrid), kiváló elektromechanikus csatolást kínálva a legmodernebb érzékelők és működtetők számára.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat