Vessen egy pillantást a kulcsfontosságú Aixtron G10 komponensekre a magas hőmérsékletű SiC epitaxiarendszerekhez. Kitérünk a CVD SiC bevonatú grafit alkatrészekre, a TaC bevonat komponensekre és a termikus térszerkezetekre – és arra, hogy ezek hogyan segítik a folyamatstabilitást, a tisztaság szabályozását és a lapkahozamot a fejlett félvezetőgyártásban.
Ismerje meg, mi a Halfmoon komponens az LPE reakciókamrában, és hogyan támogatja a termikus stabilitást, a gázáramlás-szabályozást és a reaktorszerkezetet a SiC epitaxiás rendszerekben. Fedezze fel a grafit anyagokat, a CVD SiC bevonatot, a TaC bevonatot és a modern félvezető reaktortechnológiákat.
Küszködik a MicroLED hozammutatókkal? Fedezze fel, miért térnek át az iparág vezetői a SiC szubsztrátumokra és a TaC bevonatú MOCVD alkatrészekre a hőterhelés és a részecskeszennyeződés megoldása érdekében. Ismerje meg a CVD SiC technikai előnyeit a következő generációs GaN kijelzőkhöz
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát.Adatvédelmi szabályzat