Hír

Hír

Örömmel osztjuk meg Önnel munkánk eredményét, céges híreinket, és időben tájékoztatást adunk a fejleményekről, a személyzeti kinevezési és eltávolítási feltételekről.
Még mindig aggódik az anyagi teljesítmény miatt a magas hőmérsékletű környezetben?31 2025-07

Még mindig aggódik az anyagi teljesítmény miatt a magas hőmérsékletű környezetben?

Miután több mint egy évtizeden keresztül dolgoztam a félvezető iparban, megértem, hogy az első kézből megértem, hogy a kihívásokkal teli kiválasztás milyen magas hőmérsékletű, nagy teljesítményű környezetben lehet. Csak addig, amíg találkoztam Vetek SIC blokkjával, végül találtam egy igazán megbízható megoldást.
A Vetekchemon ragyog a 2025 -es Shanghai Semicon Nemzetközi Kiállításon26 2025-03

A Vetekchemon ragyog a 2025 -es Shanghai Semicon Nemzetközi Kiállításon

A Vetekchechon ragyog a 2025 -es Sanghai Semicon Nemzetközi Kiállításon, amely az innovatív technológiákkal vezette a félvezető ipar jövőjét
Chipgyártás: atomréteg -lerakódás (ALD)16 2024-08

Chipgyártás: atomréteg -lerakódás (ALD)

A félvezető gyártóiparban, mivel az eszköz mérete továbbra is csökken, a vékony film anyagok lerakódási technológiája példátlan kihívásokat jelentett. Az atomréteg -lerakódás (ALD), mint egy vékony film lerakódási technológia, amely az atomszinten pontos kontrollot érhet el, a félvezető gyártás nélkülözhetetlen részévé vált. A cikk célja az ALD folyamatáramának és alapelveinek bemutatása, hogy megértsék annak fontos szerepét a fejlett chipgyártásban.
Mi az a félvezető epitaxiás folyamat?13 2024-08

Mi az a félvezető epitaxiás folyamat?

Ideális integrált áramkörök vagy félvezető eszközök tökéletes kristályos alaprétegre építeni. A félvezetőgyártás epitaxiás (epi) eljárásának célja egy finom, általában körülbelül 0,5-20 mikronos egykristályos réteg felvitele egy egykristályos hordozóra. Az epitaxiás eljárás fontos lépés a félvezető eszközök gyártásában, különösen a szilícium lapkagyártásban.
Mi a különbség az epitaxia és az ALD között?13 2024-08

Mi a különbség az epitaxia és az ALD között?

Az epitaxia és az atomréteg -lerakódás (ALD) közötti fő különbség a film növekedési mechanizmusaiban és működési körülményeiben rejlik. Az epitaxia arra utal, hogy egy kristályos vékony fóliát egy specifikus orientációs viszonyt tartalmazó kristályos szubsztráton termeszt, fenntartva ugyanazt vagy hasonló kristályszerkezetet. Ezzel szemben az ALD egy lerakódási technika, amely magában foglalja a szubsztrát különböző kémiai prekurzoroknak való kitettségét egymás után, hogy egy vékony filmet képezzen egyszerre.
Mi az a CVD TAC bevonat? - Veteksemi09 2024-08

Mi az a CVD TAC bevonat? - Veteksemi

A CVD TAC bevonat egy hordozón (grafiton) sűrű és tartós bevonat kialakítására szolgáló eljárás. Ez a módszer magában foglalja a TaC felhordását az aljzat felületére magas hőmérsékleten, ami kiváló hőstabilitású és vegyszerálló tantál-karbid (TaC) bevonatot eredményez.
X
Cookie-kat használunk, hogy jobb böngészési élményt kínáljunk, elemezzük a webhely forgalmát és személyre szabjuk a tartalmat. Az oldal használatával Ön elfogadja a cookie-k használatát. Adatvédelmi szabályzat
Elutasít Elfogadás