Örömmel osztjuk meg Önnel munkánk eredményét, céges híreinket, és időben tájékoztatást adunk a fejleményekről, a személyi kinevezési és eltávolítási feltételekről.
Magas tisztaság: A kémiai gőzlerakódás (CVD) által termesztett szilícium -epitaxiális réteg rendkívül magas tisztaságú, jobb felületi sík és alacsonyabb hibás sűrűségű, mint a hagyományos ostyák.
A szilárd szilícium -karbid (SIC) egyedi fizikai tulajdonságai miatt a félvezető gyártás egyik legfontosabb anyagává vált. Az alábbiakban elemezzük annak előnyeit és gyakorlati értékét, annak fizikai tulajdonságai és a félvezető berendezések (például ostyahordozók, zuhanyfejek, maratási fókuszgyűrűk stb.) Félén történő felhasználása alapján.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy