Ipari hírek

A SiC nagy keménységgel, hővezető képességgel és korrózióállósággal rendelkezik, így ideális a félvezetőgyártáshoz. A CVD SiC bevonat kémiai gőzleválasztással jön létre, amely magas hővezetőképességet, kémiai stabilitást és megfelelő rácsállandót biztosít az epitaxiális növekedéshez. Alacsony hőtágulása és nagy keménysége biztosítja a tartósságot és a pontosságot, így elengedhetetlen olyan alkalmazásokban, mint az ostyahordozók, előmelegítő gyűrűk stb. A VeTek Semiconductor egyedi SiC bevonatokra specializálódott különféle iparági igényekhez.

A szilícium-karbid (SIC) egy nagy pontosságú, félvezető anyag, amely kiváló tulajdonságairól ismert, mint a magas hőmérséklet-ellenállás, a korrózióállóság és a nagy mechanikai szilárdság. Több mint 200 kristályszerkezete van, a 3C-SIC az egyetlen köbös típus, amely kiváló természetes gömböket és sűrűsítést kínál más típusokhoz képest. A 3C-SIC kiemelkedik a nagy elektronmobilitás miatt, így ideális a MOSFET-ekhez a Power Electronics-ban. Ezenkívül nagy potenciált mutat a nanoelektronikában, a kék LED -ekben és az érzékelőkben.

A gyémánt, a potenciális negyedik generációs "végső félvezető" kivételes keménysége, hővezető képessége és elektromos tulajdonságai miatt egyre nagyobb figyelmet kap a félvezető hordozók körében. Míg a magas költségek és a gyártási kihívások korlátozzák a használatát, a CVD az előnyben részesített módszer. A doppingolás és a nagy területű kristálykihívások ellenére a gyémánt ígéretes.